BLDC六部换相——过零点检测电路分析

ST（意法半导体）方案

在参考ST的硬件方案时没能找到设计说明，以下是个人理解，如有错误，还望指正

BLDC DETECTION —— SIX STEP

先说结论，然后对齐进行分析，该电路实现了对电机输出电压进行采样的功能，且具有以下特点：

a. 限制采样电压，对单片机进行保护

b. 通过GPIO_BEMF切换放大倍率

在分析此检测电路之前先来了解以下二极管的特性：正向导通，反向截止

1. 正向特性：当正向电压 u 大于开启电压 Uon 时，二极管导通，同时产生导通压降，二极管导通电阻非常小，近似为短路

2. 反向特性：当反向电压 u 幅值小于击穿电压 UBK 时，漏电流 IS 很小，近似为0，二极管截止。当反向电压 u 幅值大于击穿电压 UBK 时，二极管被击穿损坏。

材料	开启电压Uon/V	导通电压U/V	反向饱和电流IS/uA
硅（Si）	≈0.5	0.6~0.8	<0.1
锗（Ge）	≈0.1	0.1~0.3	几十

我们来做几个题加深一下对其的认识

条件：导通电压UD=0.7

UO1	UO2	UO3	UO4	UO5	UO6
1.3	0	-1.3	2	1.3	-2

然后，我们来分析这个电路

1）D10：对电路其保护作用，不对采样值产生影响，当OUTx经R61加到BEMFx端的电压大于(3.3V+UON)时二极管D10导通，电流由D10流过，且将电压V_BEMFx限制在(3.3V+UD)之下，防止采样电压过高损坏单片机。

按照图中的电阻值，设稳压管导通电压为0.25V，VGPIO_BEMF = 0的情况下 经计算OUTx > 18.55时被截止，GPIO_BEMF的作用将在后面与D11一块做说明

VOUT ∈ ( 0 , 20 )，VBEMF_MIN = 0 , VBEMF_MAX = 3.55
有眼尖的同学可能会发现在这个正弦波的下面有个突起，这是因为在V_OUT < 0.25时二极管D11未完全导通或未导通，此时VOUT = VBEMF，此时电压未经缩放，因此变化更快，图像更陡峭
VOUT ∈ ( 0.25 , 18.55 )时，$V_{BEMF}=\frac{(V_{OUT}-U_D)\ast R57}{R61+R57}+U_D$

VOUT ∈ ( 2 , 18 )，VBEMF_MIN = 0.567 , VBEMF_MAX = 3.45

2）D11与BEMF_GPIO：上文我们分析了VBEMF_GPIO =0时，可将VOUT在 ( 0.25 , 18.55 )范围内进行缩放以使得采样电压在单片机的可采样范围内。

但是当我们的电机电阻较小，VOUT比较小时，如VOUT ∈ ( 0 , 3 )，那么此时完全可以不经缩放直接采样，以获得更大的有效值，便于处理。我们可以使GPIO_BEMF端口输出高，即VBEMF_GPIO =3.3V，此时由于VOUT ∈ ( 0 , 3 )，VOUT 始终小于VBEMF_GPIO，稳压管D11被截止，VOUT = VBEMF

3）电阻：缩放电机输出电压到单片机可采样范围内

判断过零点主要是依据反电动势，我们可以在OUTx相浮空时采样其反电动势，理论上采集到的电压为中性点电压+反电动势，实际情况有待实验验证。

经典方案

引出中性点，比较中性点电压与浮空相电压的大小来确定过零点（详细内容请参考直流无刷电机无感检测电路原理）

OUT1接到电机A端，OUT2接到电机B端，OUT3接到电机C端

当A，B相导通时（MOS管A，Z导通）由基尔霍夫电流定律有如下公式：

$\frac{OUT1-BEMF1}{R1}=\frac{BEMF1}{R2}+\frac{BEMF1-M}{R3}$

$\frac{OUT3-BEMF3}{R1}=\frac{BEMF3}{R2}+\frac{BEMF3-M}{R3}$

$\frac{M-BEMF2}{R3}=\frac{BEMF2}{R1}+\frac{BEMF2}{R2}$

$\frac{M-BEMF2}{R3}=\frac{BEMF1-M}{R1}+\frac{BEMF3-M}{R2}$

注：反电动势OUT3_BEMF = (OUT1 + OUT2) / 2 + OUT3_BEMF；M为中性点电压。
为了便于说明问题设R1 = R2 = R3，并令X = (OUT1,OUT2,OUT3X = (OUT1,OUT2,OUT3_BEMF,OUT3)，Y = (M,BEMF3)_BEMF,OUT3)，Y = (M,BEMF3)

① X = (12,0,6,12)时，Y = (4,5.33)，BEMF3 > M

② X = (12,0,0,6）时，Y = (3,3)，BEMF3 = M

③ X = (12,0,-2,4)时，Y = (2.67,2.22），BEMF3 < M

即浮空相反电动势为正时，BEMF3 > M，浮空相反电动势为负时，BEMF3 < M，浮空相反电动势为0时，BEMF3 = M
下图(R1,R2,R3)分别为(10,10,10) , (10,2,10) , (10,10,2)（单位：KΩ）

M与浮空相电压相交时为过零点，可以用外部比较器生成比较中断或单片机内部比较器产生中断信号



对中性点的放大倍率：$\frac{R2}{R1+R2}$