去耦电容的作用分析

去耦电容为需要大量供电电流的集成电路提供本地电荷源响应内部切换。去耦不足会导致所需的电源电流不足，这可能会阻止IC正常工作，导致信号完整性数据错误发生。这要求它们在感兴趣的频率范围内提供低阻抗。为了实现这一目标，一种常见的方法是在电路板上均匀地分布一组去耦电容器。除了保持信号完整性外，去耦电容器作为EMC滤波器，防止高频射频信号在整个PCB中播。

当在电源和地平面之间连接电容器时，电源实际上负载了一个串联谐振电路，其频率相关的R-L-C分量代表实际电容器的等效电路。初始等效电路的寄生元件及其串联谐振电路的转换如图4-15所示。

                                      用串联谐振电路模拟电容器损耗

泄漏电阻RL表示低频时泄漏电流造成的损耗。RD和CD显示由于分子极化(RD)和介电吸收(CD)造成的损耗。RS表示在电容器的引线和极板。三个电阻损耗合并成一个等效系列电阻(ESR)。在ESR的情况下，等效串联电感(ESL)结合的电感电容器板和内部引线。

请注意，电容连接过孔虽然阻抗低，但对串联电感的贡献很大。因此，通过每个电容器端子使用两个过孔来减小过孔电感。

图4-16显示了10-nF电容的电容阻抗(Z)随频率的变化。在频率远低于自谐振频率(SRF)时，电容电抗占主导地位。接近SRF时，感应电抗会增加影响，试图中和电容成分。在SRF时，电容电抗和电感电抗相互抵消，只有ESR有效。请注意，ESR与频率有关，并且与普遍的看法相反，在SRF时不会达到最小值。然而，阻抗Z却可以。

                                             电容阻抗与频率的关系

分布式去耦网络中电容并联的原因是总电容增大到CTOT = C × n，其中n为去耦电容器的个数。当Xc= 1/(ω × C)时，对于低于SRF的频率，电容器阻抗降低为Xc= 1/(n × ω × C)。同样，这也适用于电感。这里LTOT = L/n，由于XL = ω × L，对于高于SRF的频率，阻抗减小到XL = ω × L/n。

设计一个可靠的解耦网络必须包括低频率到直流，这需要实现大旁路电容。因此，为了在低频率下提供足够的低阻抗，将1μF到10μF钽电容放置在稳压器的输出端和电源所在的位置提供给PCB。对于更高的频率范围，在每个高速开关IC旁边放置几个0.1μF或0.01μF的陶瓷电容器。