IGBT-整流桥用-集成模块-相当于MOS管

本文详细介绍了IGBT(绝缘栅双极晶体管)的结构、工作特性和静态、动态特性。探讨了其导通、关断、阻断与闩锁的原理,并回顾了发展历史和研发进展。同时,文章提供了IGBT模块的检测方法,包括极性判断、好坏检测及注意事项。此外,还涉及模块选择、使用和保管要点,变频器中IGBT开路故障的诊断,以及新旧保护模式的对比,最后讨论了IGBT的应用及市场趋势。
摘要由CSDN通过智能技术生成

IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),绝缘栅 双极型晶体管,是由BJT(双极型 三极管)和MOS( 绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体 器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低,载流 密度大,但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小,开关速度快,但导通压降大,载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点,驱动 功率小而饱和压降低。非常适合应用于 直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、 开关电源、照明电路、 牵引传动等领域。
IGBT模块是由IGBT(绝缘栅 双极型晶体管芯片)与FWD(续流二极管芯片)通过特定的电路桥接封装而成的模块化半导体产品;封装后的IGBT模块直接应用于变频器、UPS不间断电源等设备上;
IGBT模块具有节能、安装维修方便、散热稳定等特点;当前市场上销售的多为此类模块化产品,一般所说的IGBT也指IGBT模块;随着节能环保等理念的推进,此类产品在市场上将越来越多见;
IGBT是能源变换与传输的核心器件,俗称电力电子装置的“CPU”,作为国家战略性新兴产业,在轨道交通、智能电网、航空航天、电动汽车与新能源装备等领域应用极广。 [1]  
中文名
绝缘栅 双极型晶体管
外文名
Insulated Gate Bipolar Transistor
简    称
IGBT
特    点
高耐压、导通压降低、开关速度快
评论
添加红包

请填写红包祝福语或标题

红包个数最小为10个

红包金额最低5元

当前余额3.43前往充值 >
需支付:10.00
成就一亿技术人!
领取后你会自动成为博主和红包主的粉丝 规则
hope_wisdom
发出的红包
实付
使用余额支付
点击重新获取
扫码支付
钱包余额 0

抵扣说明:

1.余额是钱包充值的虚拟货币,按照1:1的比例进行支付金额的抵扣。
2.余额无法直接购买下载,可以购买VIP、付费专栏及课程。

余额充值