IRFB7430PBF是一款N沟道MOSFET晶体管,其详细参数如下:
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最大漏极电压:100V
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最大漏极电流:195A
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最大功率:300W
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静态电阻:1.5mΩ
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门极电压范围:±20V
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开关时间:25ns
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工作温度范围:-55℃ ~ 175℃
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封装形式:TO-220AB
IRFB7430PBF具有低导通电阻、高开关速度、低输入电容等优点,适用于高效率DC-DC转换器、电机驱动器、电源开关等领域。
IRFB7430PBF是一款N沟道MOSFET晶体管,其详细参数如下:
最大漏极电压:100V
最大漏极电流:195A
最大功率:300W
静态电阻:1.5mΩ
门极电压范围:±20V
开关时间:25ns
工作温度范围:-55℃ ~ 175℃
封装形式:TO-220AB
IRFB7430PBF具有低导通电阻、高开关速度、低输入电容等优点,适用于高效率DC-DC转换器、电机驱动器、电源开关等领域。