一、RAM介绍
ROM(Read Only Memory)只读存储器。断电后信息不丢失,如计算机启动用的BIOS芯片。存取速度很低,(较RAM而言)且不能改写。由于不能改写信息,不能升级,现已很少使用。RAM(Ramdom Access Memory)易挥发性随机存取存储器,高速存取,读写时间相等,且与地址无关,如计算机内存等。
RAM分为SRAM(静态随机存储器)和DRAM(动态随机存储器)两大类。SRAM一般用作CPU的一级cache和二级cache,容量小,存取速度快,价格高,只要供电资料就会一直存在,不需要动态刷新。而DRAM用作计算机当中的内存,也就是内存条,容量大,相对SRAM而言存取速度慢,但是比ROM速度要快,由于利用电容来存储电荷,需要额外刷新电路进行充放电,电路如下图所示。
二、DRAM介绍
如图一所示,左边就是PC系统中常用的内存条,该内存条是双通道2G内存(dual inline Memory Module),通常简称为DIMM。我们可以看到内存条上黑色的128MB内存芯片,这些内存芯片简称为IC。该内存条是双面内存,就是说正反两面都有8个IC,总共16个IC,16*128M=2GB。DIMM的单面称作rank,比如下图的2GB内存条,它就是由rank1,rank2两个单面组成,每个面有8个IC。
每个IC内部通常由8个bank组成(DDR3通常为8个bank,GDDR5通常有16个bank),这些bank共享一个memory I/O controller, 但是在每个bank内部的读写可以并行进行。
每个bank内部包括行地址解码器,列地址解码器,传感放大器,以及DRAM内存阵列。如图2所示,这些内存阵列由行列组成,每个行列交叉的单元,表示n bit,通常是8bit或者16位【每一位都是由一个晶体管和一个电容组成,在GDDR5和HBM内存中,通常为32Byte】,表示一个字节或者一个word。bank中的每一行组成一个page,每一行又包括很多列(这儿列是指单个交叉单元)。内存读写的最小单位就是这些交叉单元,通常只有这些单元被放入传感放大器的时候,才能够被读写,所以通常要不断在行和传感放大器之间移动数据。
把一行放入传感放大器称作”activate”,因为这个操作会激活bank。把传感放大器的内容放入行,称作“precharge”。有时候Read或者write的时候会隐含着 precharge的操作,称作AP-read,或者AP-write,AP(auto precharge)。
在图中每个bank由16k的page组成,每个page包括1k的列,每列是8bit的byte,所以总共16,384 rows/bank x 1,024 columns addresses/row x 1 byte/column address x 8 stacked banks=128M
三、参考文献
1,http://www.cnblogs.com/mikewolf2002/archive/2012/11/13/2768804.html
2,http://www.cnblogs.com/nano94/p/4014082.html