DRAM 内存原理

一、RAM介绍

ROM（Read Only Memory）只读存储器。断电后信息不丢失，如计算机启动用的BIOS芯片。存取速度很低，（较RAM而言）且不能改写。由于不能改写信息，不能升级，现已很少使用。RAM（Ramdom Access Memory）易挥发性随机存取存储器，高速存取，读写时间相等，且与地址无关，如计算机内存等。
RAM分为SRAM（静态随机存储器）和DRAM（动态随机存储器）两大类。SRAM一般用作CPU的一级cache和二级cache，容量小，存取速度快，价格高，只要供电资料就会一直存在，不需要动态刷新。而DRAM用作计算机当中的内存，也就是内存条，容量大，相对SRAM而言存取速度慢，但是比ROM速度要快，由于利用电容来存储电荷，需要额外刷新电路进行充放电，电路如下图所示。

二、DRAM介绍

如图一所示，左边就是PC系统中常用的内存条，该内存条是双通道2G内存(dual inline Memory Module),通常简称为DIMM。我们可以看到内存条上黑色的128MB内存芯片，这些内存芯片简称为IC。该内存条是双面内存，就是说正反两面都有8个IC，总共16个IC，16*128M=2GB。DIMM的单面称作rank，比如下图的2GB内存条，它就是由rank1，rank2两个单面组成，每个面有8个IC。

每个IC内部通常由8个bank组成(DDR3通常为8个bank，GDDR5通常有16个bank)，这些bank共享一个memory I/O controller, 但是在每个bank内部的读写可以并行进行。
每个bank内部包括行地址解码器，列地址解码器，传感放大器，以及DRAM内存阵列。如图2所示，这些内存阵列由行列组成，每个行列交叉的单元，表示n bit，通常是8bit或者16位【每一位都是由一个晶体管和一个电容组成,在GDDR5和HBM内存中，通常为32Byte】，表示一个字节或者一个word。bank中的每一行组成一个page，每一行又包括很多列(这儿列是指单个交叉单元)。内存读写的最小单位就是这些交叉单元，通常只有这些单元被放入传感放大器的时候，才能够被读写，所以通常要不断在行和传感放大器之间移动数据。
把一行放入传感放大器称作”activate”，因为这个操作会激活bank。把传感放大器的内容放入行，称作“precharge”。有时候Read或者write的时候会隐含着 precharge的操作，称作AP-read,或者AP-write,AP(auto precharge)。

在图中每个bank由16k的page组成，每个page包括1k的列，每列是8bit的byte，所以总共16,384 rows/bank x 1,024 columns addresses/row x 1 byte/column address x 8 stacked banks=128M

三、参考文献

1，http://www.cnblogs.com/mikewolf2002/archive/2012/11/13/2768804.html
2，http://www.cnblogs.com/nano94/p/4014082.html