【cadence virtuoso 实践记录(1)_仿真管子参数,μCox,λ】

1 先扫描出NMOS/PMOS管I/V特性曲线

1.1PMOS管的I/V曲线

1.1.1 PMOS管仿真拓扑结构

 

在这里插入图片描述

1.1.2.ADE窗口参数设置


在这里插入图片描述


1.1.3.ADE/Tools/Parametric Analysis 设置扫描变量,步长


在这里插入图片描述

1.1.4.运行仿真,得到pmos管的I/V曲线

在这里插入图片描述

1.2NMOS的IV曲线

步骤同上

在这里插入图片描述

在这里插入图片描述

在这里插入图片描述

在这里插入图片描述

2 仿真管子参数

2.1先看NMOS 管

将 W/L 先设置为 220n/180n
在这里插入图片描述
2.1.2 扫描,Vds:0-2v ,Vgs: 0.6-1.2v, 步长设置为0.2
在这里插入图片描述

2.1.3记录下不同Vds和Vgs下的Id值

Vds=1Vvds=1.5V
Vgs=0.8V25.83uA27.23uA
Vgs=1V52.36uA54.65uA
Vgs=1.2V81.31uA84.51uA

2.1.4 根据公式计算μCox,λ

I D S I_{DS} IDS = 1 2 \frac {1}{2} 21 μ n \mu_n μn C o x C_{ox} Cox W L \frac {W}{L} LW ( V G S V_{GS} VGS - V T H n V_{TH_n} VTHn) 2 ^2 2 (1+ λ n \lambda_n λn V D S V_{DS} VDS)

令Kn = μ n \mu_n μn C o x C_{ox} Cox

得: I D S I_{DS} IDS = 1 2 \frac {1}{2} 21 K n K_n Kn W L \frac {W}{L} LW ( V G S V_{GS} VGS - V T H n V_{TH_n} VTHn) 2 ^2 2 (1+ λ n \lambda_n λn V D S V_{DS} VDS)

(1)代入表中第一行数据

①代入 W L \frac {W}{L} LW = 220 n 180 n \frac {220n}{180n} 180n220n , I D S I_{DS} IDS = 25.83uA ,Vgs=0.8V ,Vds=1V
② 代入 I D S I_{DS} IDS = 25.83uA ,Vgs=0.8V ,Vds=1.5V
 
25.83 x 10-6 = 1 2 \frac {1}{2} 21 K n K_n Kn 220 n 180 n \frac {220n}{180n} 180n220n (0.8 - V T H n V_{TH_n} VTHn) 2 ^2 2 (1+ λ n \lambda_n λn x 1)     ①

27.23 x 10-6 = 1 2 \frac {1}{2} 21 K n K_n Kn 220 n 180 n \frac {220n}{180n} 180n220n (0.8 - V T H n V_{TH_n} VTHn) 2 ^2 2 (1+ λ n \lambda_n λn x 1.5)   ②


两式子直接相除 ① ② \frac {①}{②} ,得出 λ n \lambda_n λn = 0.121

(2)代入表中第一列数据

①代入 W L \frac {W}{L} LW = 220 n 180 n \frac {220n}{180n} 180n220n , I D S I_{DS} IDS = 25.83uA ,Vgs=0.8V ,Vds=1V
② 代入 I D S I_{DS} IDS = 52.36uA ,Vgs=1V ,Vds=1V

25.83 x 10-6 = 1 2 \frac {1}{2} 21 K n K_n Kn 220 n 180 n \frac {220n}{180n} 180n220n (0.8 - V T H n V_{TH_n} VTHn) 2 ^2 2 (1+ λ n \lambda_n λn x 1)     ①

52.36 x 10-6 = 1 2 \frac {1}{2} 21 K n K_n Kn 220 n 180 n \frac {220n}{180n} 180n220n (1 - V T H n V_{TH_n} VTHn) 2 ^2 2 (1+ λ n \lambda_n λn x 1)   ②

两式子直接相除 ① ② \frac {①}{②} V T H n V_{TH_n} VTHn = 0.329V

(3)将 W L \frac {W}{L} LW = 220 n 180 n \frac {220n}{180n} 180n220n λ n \lambda_n λn = 0.121, V T H n V_{TH_n} VTHn = 0.329V,代入到式①

K n K_n Kn= 1.704 x 10-4 A/V2

2.1.5 But实际仿真的数据得到的Vthn = 0.483V
在这里插入图片描述

2.2 再看PMOS 管

2.2.1 PMOS的图连接方式与NMOS略有不同。
(在这里卡了一小会,要了解透PMOS的工作条件)
将 W/L 先设置为 220n/180n
在这里插入图片描述

2.2.2 各点电压的设置

在这里插入图片描述
扫描仿真的设置,步骤与NMOS相同
在这里插入图片描述

2.2.3 扫描结果

在这里插入图片描述

记录下不同Vds和Vgs下的Id值
为了计算方便,下边用Vsd,Vsg

Vsd=1VVsd=1.5V
Vsg=0.8V-6.53uA-7.10uA
Vsg=1V-15.02uA-16.09uA
Vsg=1.2V-25.55uA-27.22uA

2.2.4 计算参数

I D S I_{DS} IDS = 1 2 \frac {1}{2} 21 μ p \mu_p μp C o x C_{ox} Cox W L \frac {W}{L} LW ( V S G V_{SG} VSG - ∣ V T H p ∣ |V_{TH_p}| VTHp) 2 ^2 2 (1+ λ p \lambda_p λp V S D V_{SD} VSD)

令Kp = μ p \mu_p μp C o x C_{ox} Cox

得: I D S I_{DS} IDS = 1 2 \frac {1}{2} 21 Kp W L \frac {W}{L} LW( V S G V_{SG} VSG - ∣ V T H p ∣ |V_{TH_p}| VTHp) 2 ^2 2 (1+ λ p \lambda_p λp V S D V_{SD} VSD)


(1)代入表中第一行数据


①代入 W L \frac {W}{L} LW = 220 n 180 n \frac {220n}{180n} 180n220n , I D S I_{DS} IDS = 6.53uA ,Vsg=0.8V ,Vsd=1V
② 代入 I D S I_{DS} IDS = 7.10uA ,Vsg=0.8V ,Vsd=1.5V
 
6.53 x 10-6 = 1 2 \frac {1}{2} 21 K p K_p Kp 220 n 180 n \frac {220n}{180n} 180n220n (0.8 - V T H p V_{TH_p} VTHp) 2 ^2 2 (1+ λ p \lambda_p λp x 1)     ①

7.10 x 10-6 = 1 2 \frac {1}{2} 21 K p K_p Kp 220 n 180 n \frac {220n}{180n} 180n220n (0.8 - V T H p V_{TH_p} VTHp) 2 ^2 2 (1+ λ p \lambda_p λp x 1.5)   ②


两式子直接相除 ① ② \frac {①}{②} ,得出   λ p \lambda_p λp = 0.21

(2)代入表中第一列数据

①代入 W L \frac {W}{L} LW = 220 n 180 n \frac {220n}{180n} 180n220n , I D S I_{DS} IDS = 6.53uA ,Vsg=0.8V ,Vsd=1V
② 代入 I D S I_{DS} IDS = 15.02uA ,Vsg=1V ,Vsd=1V
 
6.53 x 10-6 = 1 2 \frac {1}{2} 21 K p K_p Kp 220 n 180 n \frac {220n}{180n} 180n220n (0.8 - V T H p V_{TH_p} VTHp) 2 ^2 2 (1+ λ p \lambda_p λp x 1)     ①

15.02 x 10-6 = 1 2 \frac {1}{2} 21 K p K_p Kp 220 n 180 n \frac {220n}{180n} 180n220n (1 - V T H p V_{TH_p} VTHp) 2 ^2 2 (1+ λ p \lambda_p λp x 1)     ①

两式子直接相除 ① ② \frac {①}{②} ∣ V T H n ∣ |V_{TH_n}| VTHn = 0.412V


(3)将 W L \frac {W}{L} LW = 220 n 180 n \frac {220n}{180n} 180n220n λ n \lambda_n λn = 0.21, ∣ V T H p ∣ |V_{TH_p}| VTHp = 0.412V,代入到式①

K p K_p Kp= 5.876 x 10-5 A/V2


2.2.5 But实际仿真的数据得到的Vthp = -0.487V

在这里插入图片描述


自我小结:

  1. 计算过程需要仔细,式子不难,不要漏项,注意单位。
  2. 虽然实际仿真和理论计算的数据有差距,但是自己动手做一下,感觉还是不一样的。
  3. 学会了一些键入公式的语法,原来Latex公式和word可以共用。
  4. 小白入门,自我学习记录,有误之处,还请不啬赐教。
  5. 整个过程参考以下博主的记录,致谢!

  [1] https://blog.csdn.net/weixin_44115643/article/details/119062516
  [2] https://blog.csdn.net/kexuedalao/article/details/122540451

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