数字集成电路_2.MOS管的原理

理想与现实的差异

1. 理想情况
   理想情况下，导通时电阻无穷小，截止时电阻无穷大；开关速度无限小；
2. 实际情况
   寄生效应存在，导通时有电阻，切换时有延时，截止时有漏电流等；

阈值电压：

MOS管分类：

增强型NMOS管：阈值电压大于0的NMOS管称为增强型NMOS管；
耗尽型NMOS管：阈值电压小于0的NMOS管称为耗尽型NMOS管；
增强型PMOS管：阈值电压小于0的PMOS管称为增强型PMOS管；
耗尽型PMOS管：阈值电压大于0的PMOS管称为耗尽型PMOS管；

MOS管电流

MOS管特性曲线

NMOS管特性曲线

PMOS管特性曲线

小结：

1. MOS管的导通电流与W/L成正比；
2. MOS管的导通电流与载流子迁移率成正比；
3. MOS管的电流方程因偏置条件不同有不同的工作区，随偏置电压的变化是非线性的；
4. 电流随V_GS - VT 的增大而增大。 V_GS -VT 被称为过驱动电压（overdrive voltage）；
5. 饱和电流与过驱动电压成平方关系，线性区电流与V_DS成平方关系（VDS较小时可近似为线性关系）
6. 为了保持MOS管的性能不变，减小晶体管的面积可以等比例的减小W和L（scaling down）,要尽量减小L；
7. 特征尺寸：工艺所能加工的最小线宽通常对应MOS管的沟道长度L；

沟长调制效应

随着VDS增加，电流逐渐增大；（下图红色标注的公式部分）

速度饱和现象

饱和电流公式
V_DSAT 发生速度饱和的临界V_DS电压（饱和电压）
V=V_SAT, V_DS = V_DSAT由连续性要求：


结论： 短沟道器件速度饱和的VDSAT 小于沟道夹断的VDSAT；

饱和电流



饱和速度简化模型

考虑饱和电流现象后的特性曲线；