MOS管IV特性曲线 cadence IC617仿真记录

（仅为个人记录）

打开IC617

新建library，统一存放自己的电路图

新建cellview，建立电路图

快捷键 I 添加元件

选择analoglib中的nmos4 vdd vdc gnd等

快捷键 w 添加连线

绘制电路图如下

选中元件，快捷键 q 编辑元件属性

设置MOS宽长比如下

设置电压源的 DC voltage

设置完成后，点击check -> current cellview 检查电路

显示无错误即可

点击Launch -> ADE L

进行仿真

1.首先设置model libraries

工艺角为tt

2.添加 design variable

记得设置初值为0

3.添加仿真分析

DC分析是对vds进行扫描，扫描范围从0到1.8V。vgs的初始值设为0V。

4.添加输出变量

再点击 select on design

选择MOS管漏极节点 观察漏电流

注意： 选择导线测量的是电压 选择结点测量的是电流

按esc退出

回到之前的界面，输出框显示如下

5.添加参变量

点tools→Parametric Analysis，弹出参变量分析窗口，我们以vgs作为参变量进行仿真

设置如下

6.在Parametric Analysis 窗口中，点Analysis→Start开始扫描

仿真结果如下，即为MOS管I-V输出特性曲线

7.返回原先界面，将VDS初值改为1.8V，步长可适当调整，DC扫描参量改为Vgs，点击simulation

扫描结果如下

即为MOS管的输入特性曲线。