Virtuoso中MOS管各个参数的含义（持续更新）

最新推荐文章于 2024-05-07 00:57:49 发布
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文章标签： 硬件工程
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multiplier： 并联的器件个数

Length：沟道长度

Total Width：总沟道宽度

Fingers：插指个数

Finger Width：插指沟道宽度

Threshold：最小沟道宽度

studentLBY
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解析MOS管的详细参数，看完这篇你就全都懂了
weixin_43747182的博客
03-05 2万+
　 　　 　　MOS管介绍 　　 　　在使用MOS管设计开关电源或者马达驱动电路的时候，一般都要考虑MOS的导通电阻，最大电压等，最大电流等因素。 　　 　　MOS管导通特性 　　 　　导通的意思是作为开关，相当于开关闭合。 　　 　　NMOS管的特性，Vgs大于一定的值就会导通，适合用于源极接地时的情况(低端驱动)，只要栅极电压达到一定电压（如4V或10V, 其他电压，看手...
探讨mos管串并联分裂问题
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01-17 5472
参考： 参考：MOS管串联
MOS管参数中英对照
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MOS管中英对照，你值得拥有，从此不必在英语
Multiplier和Finger的区别和优劣讨论
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01-11 3万+
在Analog design过程中，大家常常会要设置M和Finger，M值对应M个管子并联，finger值表示这些管子share source/drain,total width是一样的。那么我们该如何使用会比较好，请大家讨论各有什么优缺点。 采用m 或者 n，相对于管子的参数比如sab、sa等是不一样的，这些参数是版图阱效应等的几个效应的体现，会影响到管子的阈值，进而影响管子的匹配，比如电流镜的match等。所以最好电路和版图采用相同的管子设置，以保证前仿后仿的一致性 我电路上都用的M，不用Finger，
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generalradec的博客
04-29 371
这个方法我也是从别处学来的，应该就是eeetop和CSDN这两地方，具体哪个我也记不得了，前几天VM崩了，更换了新系统和新版IC618，一下子不记得怎么弄回原来的设置了，站内找了好久也没找到，就自己一边回忆一边尝试才重新搞出来，记录在此，防止再次忘记。最后，对于喜欢折腾的主，在整活之前先备份CDF，右上角有个 "CDF dump"，备份完就可以开始嗨了。看下图，点击第11步、12步。最后，第9步点击处的右侧可以设置器件的端点显示的参数内容，可以是网表net，可以是电压，也可以是电流，这个简单就不再讲了。
模拟IC设计实践教程（入门）
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Cadence设计软件介绍，并一反相器为仿真设计实例
MOS管的finger和multiplier
qq_40007892的博客
07-27 1万+
finger是插指结构中手指头的个数，multiplier（m）是并联晶体管个数。 对于单个晶体管，total width = number of fingers * w 如果设置m=2，则有两个上述晶体管并联，并联结构的电流为单个晶体管的2倍。 虽然总的width是相同的，但是这两种方式各有特点，finger可能存在最优值，multiplier要更精确一点。【在电流镜像结构的电路中，使用m实现镜像的效果 好于 使用finger实现镜像。】 ...
【Cadence Virtuoso】番外：如何根据仿真获取不同工艺库的MOS参数
m0_51258866的博客
05-07 7045
为了后续各种电路的分析与计算，我们需要知道自己使用的工艺库基础MOS器件的相关参数，如VTH、​μCox​、λ等，本篇记录了如何通过在IC617中仿真并计算获取这些参数，工艺库使用的是TSMC 65nm工艺库。
wyy课堂cmos模拟设计课学习笔记-器件介绍
qq_42702596的博客
02-06 6861
推荐一下wyy课堂的cmos模拟课程，比之前便宜好多就果断买了。 https://study.163.com/course/introduction/1209530832.htm?inLoc=ss_ssjg_tjlb_cmos 一、工艺库介绍的相关文件 二、bipolar 可以设置射极的大小和并联个数（multiplier） 三、mos total_width = fingers * finger_width 低阈值电压mos：适用于高速高频，电源电压低（电压余度小），但漏电流大 nt管：阈值电
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Logan557的博客
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Virtuoso中使用tech file产生新的device
12-09
在Virtuoso环境中，创建新的device是设计过程中的关键步骤，这通常涉及到对Cadence Design Framework II (DFII)的深入理解。Technology file在这个过程中起着核心作用，因为它为设计提供了必要的规则和参数。技术...
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目前大部分电磁仿真软件在仿真片上电感时，需要从工艺库的文件中手动提取需要的相关参数；并且仿真环境的建立也比较繁琐，仿真时间也较长，这会大大降低电感的品质因数和面积的优化效率。集成了3DEM的Virtuoso可以...
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调整实例的参数，包括鳍的数量和方向，以形成反相器的基本结构——一个PMOS和一个NMOS晶体管，它们的栅极连接在一起，源漏极分别连接电源和地。 设计完成后，我们需要进行仿真验证。在Virtuoso中，这通常涉及HSPICE...
利用Cadence Virtuoso IC617 仿真V-I特性曲线
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对NMOS管和PMOS管在不同的Vgs和Vds的条件下的V-I特性仿真。
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virtuoso里面MOS管的region 0、1、2、3表示什么区域
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在Cadence Virtuoso中，MOS管的region 0、1、2、3表示MOSFET的四个不同的区域，具体解释如下： 1. Region 0：沟道区。这是MOSFET中的主要区域，其中包含了被掺杂的沟道和两侧的PN结。在正常工作状态下，这个区域的电荷会受到控制端的电场作用而改变，从而影响整个器件的电性能。 2. Region 1：源区。这是MOSFET中与源极相连的区域，其中包含了被掺杂的N型或P型材料。在正常工作状态下，这个区域的电子会通过沟道区向漏区流动，从而形成电流。 3. Region 2：漏区。这是MOSFET中与漏极相连的区域，其中包含了被掺杂的N型或P型材料。在正常工作状态下，这个区域的电子会从沟道区进入，从而形成电流。 4. Region 3：扩散区。这是MOSFET中沟道区旁边的区域，其中包含了被掺杂的N型或P型材料。在正常工作状态下，这个区域的电荷会影响沟道区的电子密度和电场分布，从而影响整个器件的电性能。 了解这些区域的作用和特性对于MOSFET的设计和优化非常重要，可以帮助工程师更好地理解器件的电性能，从而提高设计的精度和可靠性。

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