EUV 光刻机到底有多重要?

台积电是华为的生命线

坎掉华为麒麟7nm  百分之20的订单

中芯国际就差一台光刻机

因为放眼全球,目前有能力代工7nm芯片的只有台积电三星两家,而后者是华为在手机市场最大的竞争对手

14nm以下 就只能用 荷兰AMSL公司的 EUV 光刻机。 


14nm够用还是要上7nm?

 

三大巨头众筹EUV光刻机

可是这个技术实在太难了。EUV的能量、破坏性极高,光刻机的所有零件和材料,样样都在挑战人类工艺的极限。

例如,空气分子会干扰EUV光线,生产过程得在真空环境。而且,机械的动作得精确到误差仅以皮秒(兆分之一秒)计。而最关键零件之一,由德国蔡司生产的反射镜得做到史无前例的完美无瑕,瑕疵大小仅能以皮米(纳米的千分之一)计。

这是什么概念?ASML曾做过一个比方,如果反射镜面积有整个德国大,最高的突起处不能高于1厘米。

有人评价,造一台EUV光刻机,难度胜于建造航母,因为要用到材料、光学、机电等领域最尖端的技术

为了支持ASML研发EUV光刻机,Intel三星台积电三大晶圆制造巨头于2012年一起入股了ASML,用38.5亿欧元换来了23%的股份,此外,三家还为ASML的研发项目投资了近50亿美元
 

中国光刻机落后多少年?


 

 

 

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### 回答1: EUV光刻机是一种用于制造集成路的先进设备,其核心部件包括: 1. 光源:EUV光刻机采用的是波长极短的极紫外光源,通常是一种产生钨蒸汽等离子体的装置。这种光源的波长只有13.5纳米,比传统光刻机使用的193纳米光源要短得多。 2. 光学系统:EUV光刻机的光学系统非常复杂,由多个反射镜组成。由于极紫外光无法通过普通的光学透镜,因此必须采用反射镜进行聚焦和投影。这些反射镜需要非常高的精度和表面光洁度。 3. 掩膜:在光刻过程中,需要使用一种叫做掩膜的光刻版。掩膜是一种光刻版,上面有路图案的图层,可以让极紫外光透过,形成路图案。 4. 台架:光刻机的台架是一个非常重要的部件,它需要提供非常高的稳定性和精度。在光刻过程中,掩膜和芯片需要非常精准地对准,而台架的稳定性和精度可以保证这一过程的准确性。 EUV光刻机的参数包括: 1. 分辨率:EUV光刻机的分辨率通常为几十纳米到数百纳米之间,可以实现非常高的精度和细节。 2. 投影镜直径:EUV光刻机的反射镜通常非常大,直径可以达到0.4-0.5米左右,反射面的精度要求非常高。 3. 生产能力:EUV光刻机的生产能力通常比传统光刻机要低,每小时可以生产的芯片数量较少。 4. 成本:EUV光刻机的制造成本非常高,价格通常在几千万美元以上。 ### 回答2: EUV光刻机是一种使用极紫外光(EUV)进行半导体芯片曝光的设备,其核心部件包括光源、光刻镜、光刻模板和感光胶等。 光源是EUV光刻机的关键部件,一般采用微量锂注入激光等离子体(LPP)技术或其他离子源技术产生EUV光源。EUV光源的参数包括功率、稳定性和波长等,通常要求功率在100瓦以上,稳定性在1%以内,波长为13.5纳米。 光刻镜(也称为光学系统)是将光源产生的EUV光线聚焦到光刻模板上的部件。光刻镜的核心参数包括焦距、场深度和分辨率等。焦距决定了EUV光线的聚焦能力,场深度决定了能够有效曝光的面积范围,分辨率决定了芯片曝光的精度。 光刻模板是半导体芯片曝光的关键部件,其主要功能是在感光胶上形成需要曝光的芯片图案。光刻模板的参数包括特征尺寸、线宽偏差和平坦度等。特征尺寸决定了芯片曝光的最小单位,线宽偏差决定了芯片图案的精度,平坦度决定了模板表面的光学质量。 感光胶是光刻过程中用于形成芯片图案的材料,其参数包括曝光剂浓度、曝光时间和显影时间等。曝光剂浓度决定了感光胶的感光度,曝光时间决定了芯片图案的曝光剂消耗量,显影时间决定了感光胶的显影速度。 总的来说,EUV光刻机的核心部件包括光源、光刻镜、光刻模板和感光胶等,其参数决定了设备的性能和芯片曝光的质量。随着技术的不断进步,EUV光刻机的核心部件的参数也在不断地优化和改进。 ### 回答3: EUV光刻机是一种高级光刻技术,被广泛用于半导体制造中。它的核心部件包括以下几个方面: 1. 光源:EUV光刻机使用的光源是极紫外(EUV)辐射。这种光源使用特殊的放方法产生,并能够提供短波长的光线。 2. 掩模:EUV光刻机使用的掩模是一种特殊的镜面,上面有纳米级的芯片图案。掩模的制作非常精细,需要借助先进的微影技术。 3. 光学系统:EUV光刻机的光学系统由多个特殊设计的镜头组成。这些镜头能够将光源中的EUV辐射聚焦到非常小的点上,从而实现高分辨率的光刻。 4. 光刻胶:光刻胶在EUV光刻中的作用是接受光学系统聚焦的光线,并在芯片表面形成所需的图案。光刻胶的性能直接影响着芯片的质量和生产效率。 EUV光刻机的一些关键参数包括以下几个方面: 1. 分辨率:EUV光刻机的分辨率是决定芯片图案清晰度和精度的重要指标。目前,EUV光刻机能够实现亚纳米级的分辨率,大大提高了芯片的集成度和性能。 2. 吞吐量:吞吐量是指EUV光刻机每小时能够处理的晶圆数量。高吞吐量的光刻机可以有效提高生产效率,降低芯片的制造成本。 3. 稳定性:EUV光刻机的稳定性是指它在长时间运行过程中的重复性和一致性。稳定性高的光刻机能够保证芯片的一致性和质量稳定。 4. 可靠性:EUV光刻机的可靠性是指系统能够长时间稳定运行的能力。由于EUV光刻机是高端设备,使用寿命较长,需要确保系统的可靠性以保证生产的连续性。 综上所述,EUV光刻机的核心部件包括光源、掩模、光学系统和光刻胶,关键参数则包括分辨率、吞吐量、稳定性和可靠性等。
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