电子科技大学《半导体光电子学》考点——半导体物理基础

最新推荐文章于 2025-04-23 15:30:37 发布

uestc_Venn

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分类专栏：电子科技大学半导体光电子学文章标签：笔记

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半导体光电子学

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本文详细介绍了半导体晶体的基本概念，如晶胞结构、晶格参数、带隙性质，以及化合物半导体中III-V族元素的应用。着重讨论了声子和光子的吸收，有效质量近似，以及费米-狄拉克和麦克斯韦-玻尔兹曼分布在电子统计学中的作用。此外，文章还涵盖了掺杂材料中的载流子浓度模型，包括掺杂能级和掺杂效应的数学表达式。

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1.1 晶体

半导体晶体

（1）定义

一种基于特定单胞规则重复的结构，可填充所有空间。

（2）晶胞

通过规则重复来构造晶体的单位。

（3）晶格参数

单位晶胞的重复长度

（4）GaAs的晶格常数

（5）Si与GaAs的带隙结构

Si：间接带隙结构
GaAs：直接带隙结构

1.2 化合物半导体

化合物半导体材料III-V族元素

（1）III族

Al、Ga、In

（2）V族

N、P、As、Sb

（3）IV族（用于光电探测器）

Si、Ge

声子（phonon）

由于动量守恒，在E-k图上垂直跃迁间接带隙需要额外的动量，通常来自晶格振动产生的声子，因此间接跃迁是三粒子过程。

光子的吸收与辐射

有效质量近似（重点）

（1）动量与动能公式

动量： $p=\hbar k$
动能： $E=\frac{p^{2}}{2 m_{0}}=\frac{\hbar^{2} k^{2}}{2 m_{0}}$

（2）有效质量下的动能

$E=\frac{\hbar^{2} k^{2}}{2 m^{*}}$

（3）有效质量倒数

$\frac{1}{m^{*}}=\frac{1}{\hbar^{2}}\left[\frac{d^{2} E}{d k^{2}}\right]$

直接带隙半导体的截止波长

$\lambda_{g(\text { microns })}=\frac{h c}{e} \frac{1}{E_{g(e V)}} \cong \frac{1.24}{E_{g(e V)}}$

态密度（DOS）

（1）能量态密度

单位晶体体积中单位能量中的态数

（2）方晶体边长

$L_x=N_xa\\L_y=N_ya\\L_z=N_za$

（3）晶体体积

$V=L_xL_yL_z$

（4）空间周期性

$\psi_{k}\left(x+L_{x}, y, z\right)=\psi_{k}\left(x, y+L_{y}, z\right)=\psi_{k}\left(x, y, z+L_{z}\right)=\psi_{k}(x, y, z)$
或表示为：
$\exp \left(i k_{x}\left(x+L_{x}\right)\right)=\exp \left(i k_{x} x\right)$

（5）边界条件

$\exp \left(i k_{x} L_{x}\right)=1$

（6）量子化结论

$k_{x}=0, \pm \frac{2 \pi}{L_{x}}, \pm \frac{4 \pi}{L_{x}}, \pm \frac{6 \pi}{L_{x}}, \ldots \ldots \pm \frac{N_{x} \pi}{L_{x}}$

k空间允许态

点表示允许存在的态，厚度为dk的环用于计算态密度。

态密度结论

（1）波矢与能量的微分关系

$\frac{d k}{d E}=\frac{1}{2} \sqrt{\frac{2 m^{*}}{\hbar^{2}}} \frac{1}{\sqrt{E}}$

（2）态密度形式的方程及1/2次幂结论

$E=g(\mathbf{k}) d^{3} \mathbf{k}=\frac{2}{(2 \pi)^{3}} 4 \pi k^{2} d k$
$E=\frac{1}{2 \pi^{2}}\left(\frac{2 m^{*}}{\hbar^{2}}\right)^{3 / 2} E^{1 / 2}$

不同自由度下的态密度函数 $g (E)$

半导体统计学电子分布

（1）Fermi-Dirac分布函数（靠近费米能级）

$f_{e}(E, T)=\frac{1}{1+\exp \left(\frac{E-E_F}{k_{B} T}\right)}$

（2）Maxwell-Boltzman分布（远离费米能级）

$f_{M-B}(E, T)=A \exp \left(\frac{-E}{k_{B} T}\right)$

其中， $A=\exp \left(\frac{E_F}{k_{B} T}\right)$

（3）单位能量间隔的电子数量

$n (E) = f (E, T) g (E)$

（4）系统总电子数

$N=\int f(E, T) g(E) d E$

（5）费米能级

$E_{F}=\frac{\hbar^{2}}{2 m^{*}}\left(3 \pi^{2} N\right)^{2 / 3}$

费米积分

$F(x)=\int_{0}^{\infty} \frac{\mathrm{y}^{1 / 2}}{1+\exp (\mathrm{y}-\mathrm{x})} d y$

能量态简并

指具有给定能量的不止一个量子态。

掺杂材料中的载流子浓度

电子浓度

$n_{e}=n_{c} \exp \left[-\left(\varepsilon_{c}-\mu\right) / \tau\right]$

空穴浓度

$n_{h}=n_{v} \exp \left[-\left(\mu-\varepsilon_{v}\right) / \tau\right]$

电离施主浓度

$n_{d}^{+}=\frac{n_{d}}{1+2 \exp \left(\mu-\varepsilon_{d}\right) / \tau}$

电离受主浓度

$n_{a}^{-}=\frac{n_{a}}{1+2 \exp \left(\varepsilon_{a}-\mu\right) / \tau}$

电中性方程

$n^{-}=n_{e}^{-}+n_{a}^{-}=n^{+}=n_{h}^{+}+n_{d}^{+}$

掺杂能级

$\varepsilon_{d}=\varepsilon_{g}-\Delta \varepsilon_{d}$

重掺杂方程组

$\begin{array}{l} N_{d}^{+}=N_{d}\left(1-f_{D}(E)\right)=\frac{N_{d}}{1+e^{\left(E_{f}-E_{d}\right) / k T}} \\ n=N_{d}^{+}+p=N_{d}^{+}+\frac{n_{i}^{2}}{n} \\ n=N_{c} e^{-\left(E_{c}-E_{f}\right) / k T} \end{array}$