H桥电机驱动电路分析

1、为什么要使用驱动芯片来驱动MOS？

（1）单片的输出电压3.3V或者5V，但是MOS的栅极驱动电压需要9~12V。单片机无法直接驱动。

（2）单片机IO的驱动电流一般在20mA左右，无法满足MOS寄生电容Cgs的充放电速度。

（3）两个MOS的内阻很小，上管和下管不能同时打开，不然电流过大会烧毁MOS管，而驱动芯片可以提供一个死区保护，避免上下管同时打开。

2、驱动芯片的重要参数都有哪些？

（1）工作电压VCC

（2）IO控制脚的电压

（3）MOS导通和关断的电压

（4）电流能力

（5）是否带有死区保护，时间是多少

3、P5、P6、P7、P8脚的电压都是多少？

开始工作的时候，上管关断，下管闭合，然后电源15V开始给电容充电。最终电容电压达到15V。

VB点电压也是15V。

然后下管关断，此时上管也是关断状态，这种状态叫做死区。

再然后打开上管，此时HO和VB处于导通状态电压也是15V。

MOS导通，VS和300V相连，此时VS电压为300V电压。然后VS是300V，由于自举电容电压是15V，此时VB节点电压为300V+15V=315V

4、D3的作用是什么？特别注意参数有哪些？

自举二极管。要特别注意耐压值。

当自举电容开始起作用时，正极电压升高，为315V，远远大于驱动芯片的供电15V，外接的自举二极管可以避免电流回流损坏芯片。所以自举二极管的耐压值要远大于315V，一般选取600V的耐压。

由于C2的容值非常小，大概是Cgs的10倍，通常都能满足。

5、C2的作用是什么？特别注意参数有哪些？

自举电容。特别注意电容的容值。

当MOS导通的时候，自举电容和MOS寄生电容Cgs形成了一个回路，自举电容的容值大小会影响寄生电容的充放电速度。

芯片手册会有容值的计算算法。

6、NMOS等效电路