逻辑器件与热插拔

主要总结一下逻辑器件作为热插拔单板的接口保护器件的功能。

一、背景

        在带电插入时，单板的电源、地以及输入、输出端口几乎同时与背板上的电源、地及信号线接触，由于单板上的电源有较大的容性，上电缓慢，这使得存在输入/输出端口到电源平面或地平面的电流，构成倒灌，从而损伤接口器件。带电拔出时同样也可能发生。

        为了实现热插拔，接口器件需要满足一定要求。由此逻辑器件可以分为以下四个等级。

1、级别0：完全不支持带电插拔，在插拔前必须关闭主电源。绝大多数常见逻辑器件属于这个类别。例如：AC\ACT\AHC\ALS\HSTL\LS\SSTL\TTL等。

2、级别1：逻辑器件支持局部掉电（Partial-Power-Down）。支持在器件掉电时，关断接口到电源的通路，避免接口信号的电流倒灌到电源引脚。但在插拔前，主系统必须暂停接口信号传输。要求接口支持I_off 特性。例如：AVC/LV/LVC等。

3、级别2：支持热插拔（Hot Insertion）。除了级别1的功能，还能防止插拔时可能产生的总线冲突。要求接口支持I_off、PU3S特性。例如：ABT\ALVT\LVT。

4、级别3：支持在线插拔（Live Insertion）。除了级别2的功能，还能保证单板插拔时接口总线的数据不受影响。要求接口支持I_off、PU3S、BIAS Vcc特性。

后文对I_off、PU3S、BIAS Vcc特性进行详细介绍。

二、I_off

 如图所示为支持I_off的CMOS器件输出端口结构图。I_off结构在输出端增加了一个关断二极管。

作用机理：逻辑器件下电时，Vcc电平变为0，但输入输出端口仍与其他处于工作状态的器件相接，端口上存在一定的电流，如器件端口不包含关断二极管，该端口的电流将通过PMOS管的寄生二极管流入Vcc引脚。关断二极管正是来阻断该通路的。 

同理，在I_off结构中，是否需要加一个二极管在NMOS和GND之间呢？这是不需要的，因为NMOS管已经起到了关断二极管的作用。

三、PU3S

        在连在同一总线不同单板之间，可能由于其中一个Vcc上电缓慢可能导致在两个单板之间形成Vcc到另一单板GND 的通路，从而带来损坏。

而针对这种问题，解决方法就是在Vcc上电完成前，输出端口保持高阻而不对输入信号做出响应，称为上电三态。

支持PU3S的逻辑器件结构如图所示：

 工作原理：R1、R2构成分压电路，使M1管只有在Vcc的电平超过阈值后才导通，因此在Vcc上电过程中，节点2保持为高电平，驱动PU3S输出低电平；而在上电完成后，M1导通，节点2变为低电平，驱动PU3S输出高电平，器件的输出端开始正常工作。

根据Vcc上电的步骤，可将控制过程分为三个阶段，即I_off阶段、PU3S阶段、OE#控制阶段。

阶段1，Vcc=0V时，Ioff结构利用关断二极管阻断输出端口与Vcc之间的通道。

阶段2，Vcc上电过程中，PU3S结构使输出端口呈现高阻态。

阶段3，Vcc上升到阈值后，PU3S释放对输出端口的控制权，交由OE控制。

重合区的目的是确保接口器件对输出信号的完全控制，在控制中，建议将OE信号弱上拉到Vcc。

注意：由于电容C1、C2的存在，当Vcc上电过快时，PU3S结构不能正常工作。因此该结构对上电速率有一定要求，由参数确定。对存在上电过快的电源，可以适当增加电容或使用缓启动电路。

 PU3S相关的4个参数：

I_OZPU/I_OZPD：分别表示在上电/下电过程中，输出引脚上流入或流出电流的最大值。

I_OZH/I_OZL：分别表示当Vcc到达阈值电平后，由于输出使能信号无效，导致端口输出高阻态，此时，输出端口上流入或流出的最大值。

三、BIAS Vcc

上述两个结构实现了对接口器件的硬件保护，BIAS Vcc结构可保护接口总线上的正在传输的数据。利用BIAS Vcc可预充电待插入单板的输入/输出接口，避免对正处于工作状态的总线构成干扰。

如图是接口信号分别处于高/低电平时，单板插入可能造成的影响，在高电平时有可能将信号拉至判决门限以下。

 而BIAS Vcc结构如图，增加一个预充电电路，由BIAS Vcc供电（BIAS Vcc电平一般与Vcc相同，但早于接口器件Vcc引脚上电），在信号引脚与背板连接器接触之前预充电到某一电平。例如，可以选择为判决门限电平。当信号引脚与背板连接器接触时，由于引脚容性，接口信号仍会被拉向判决门限电平。但不会跨越门限，从而避免了判断错误。

BIAS Vcc结构图

采用预充电后单板插入时对接口信号的影响

BIAS Vcc相关的参数有

BIAS Vcc：预充电电路的电源，应先于Vcc上电。

Icc(BIAS Vcc) ：预充电电路的电流，一般很小。

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DONE!