MOS的了解和使用

让我们来了解下MOS吧。

1. 三个极的判定

这里写图片描述
G极(gate)—栅极,不用说比较好认
S极(source)—源极,不论是P沟道还是N沟道,两根线相交的就是
D极(drain)—漏极,不论是P沟道还是N沟道,是单独引线的那边

2. N沟道与P沟道判别

这里写图片描述这里写图片描述
箭头指向G极的是N沟道
箭头背向G极的是P沟道

3. 寄生二极管方向判定

这里写图片描述这里写图片描述
不论N沟道还是P沟道MOS管,中间衬底箭头方向和寄生二极管的箭头方向总是一致的:
要么都由S指向D,要么都有D指向S

4. MOS开关实现的功能

1>信号切换
2>电压通断

5. MOS管用作开关时在电路中的连接方法

关键点:
1>确定那一极连接输入端,那一极连接输出端
2>控制极电平为高电平时MOS管导通
3>控制极电平为低电平 时MOS管截止
这里写图片描述这里写图片描述
NMOS:D极接输入,S极接输出
PMOS:S极接输入,D极接输出

反证法加强理解
NMOS假如:S接输入,D接输出
这里写图片描述
由于寄生二极管直接导通,因此S极电压可以无条件到D极,MOS管就失去了开关的作用
PMOS假如:D接输入,S接输出
这里写图片描述
同样失去了开关的作用

6. MOS管的开关条件

N沟道—导通时 Ug> Us,Ugs> Ugs(th)时导通
P沟道—导通时 Ug< Us,Ugs< Ugs(th)时导通
总之,导通条件:|Ugs|>|Ugs(th)|

然后我们结合NMOS来了解一下STM32的开漏输出:

这是GPIO的内部结构,

开漏模式下是这样的:

仿真结果如下:

 

然后我们来仿真一下PMOS:

 

补充一下:电路接通电源时候,测量断路点到地的电压等于测量电源电压。

这种情况下是因为分压,万用表内阻是1GR。

文章前部分对MOS的知识有抄录自https://blog.csdn.net/baidu_19356259/article/details/80921524

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### 回答1: 三管是一种电子电路器件,它可以控制电路中的电流和电压,它由三个来构成,分别是收集,基和发射。而MOS管则是一种叫做“金属氧化物半导体”(MOS)的场效应管,它具有非常高的绝缘性,可以控制电路中的电流。 ### 回答2: 三管和MOS管都是常用的电子器件,但在结构、工作原理以及应用方面有一些区别。 首先,三管是一种三端设备,由发射、基和集电组成。它是一种双型器件,主要通过控制基电流来控制集电电流。三管的工作原理是利用两个PN结的结合方式,通过调节基电流来改变集电电流,实现放大、开关等功能。它具有电流放大和电压放大的作用,广泛应用于放大器、开关和振荡电路等领域。 与此相比,MOS管是一种四端设备,由栅、源、漏和衬底组成。MOS管是一种场效应管,通过改变栅电压来控制漏电流。 MOS管主要有N沟道MOS和P沟道MOS两种类型,其中N沟道MOS通过正向栅电压控制漏电流,P沟道MOS则通过负向栅电压控制漏电流。 MOS管具有输入阻抗高、功耗低,能够承受大电压和大电流等优点。它广泛应用于集成电路和数字电路中。 另外,三管和MOS管的开关速度也有一定的区别。三管因为有基电流的导通延时,所以开关速度相对较慢。而MOS管由于没有基电流,因此具有较快的开关速度。 除此之外,三管和MOS管在功耗、噪声和温度稳定性等方面还存在一些差异,具体应用要根据实际需求来选择合适的器件。 综上所述,三管和MOS管都属于电子器件,但在结构、工作原理和应用方面有所不同。了解它们之间的区别和特点对于正确选择和应用这些器件非常重要。 ### 回答3: 三管和MOS管都属于半导体器件,主要用于电子技术中的放大、开关等电路。但是,它们在结构、工作原理和特性等方面存在一些区别。 首先,三管由三个电组成,分别是发射、基和集电,其中基控制电流放大。而MOS管则由栅、漏和源构成,通过栅电势来变化漏电流进行控制。 其次,三管主要依靠扩散效应进行工作,其控制电流的基电压要大于发射电压,存在着一定的电压损失。而MOS管则通过场效应进行操作,其控制电压较低,具有较低的电压损失。 再次,三管的输出电流与输入电流之间的关系是非线性的,存在一定的失真。而MOS管具有良好的线性特性,可以实现较高的准确度和精度。 此外,在功率特性方面,三管常用于大功率电路,而MOS管则常用于低功率电路。 总的来说,三管和MOS管在结构、工作原理、特性和应用方面存在着明显的区别。三管主要依靠扩散效应进行工作,较适用于大功率电路;而MOS管则通过场效应操作,具有较低的电压损失、良好的线性特性和准确度,适用于低功率电路。
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