芯片破壁者（三）：光刻技术的“鬼斧”之变

在我们今天看来，晶体管发明以后，集成电路的出现一直到今天超大规模集成电路的出现，似乎是一件水到渠成的事情。但是如果回到半导体产业初兴的历史现场，我们就会发现没有任何一项关键技术的突破是“必然产生”的。

（硅晶圆上的集成电路和电子元器件）

光刻技术，正是半导体芯片得以出现的关键技术之一，也仍然是今天芯片的核心制造工艺，光刻机更是被誉为半导体产业皇冠上的明珠。

在试图探讨我国如何实现半导体产业突围的当下，光刻技术和光刻机始终是我们无法回避的技术隐痛，也是我们必须跨越的技术高峰。

不过，高端光刻机所涉及的技术种类之多、技术难度之高、产业链之复杂，远超外行人的想象。在半导体产业七十多年的进程中，正是光刻技术的不断改进推动了芯片结构的迭代升级，同时光刻技术以及相伴而生的光刻机、光源、光学元件、光刻胶等材料设备，也形成了极高的技术壁垒和错综复杂的产业版图。

我们首先将回到光刻技术诞生的历史现场进行还原，也会深入到光刻技术的演进历程，以及光刻机产业的竞争版图中，让我们获得对于光刻技术的全局视野，从而也能更好理解当下我们所处的半导体光刻机产业的竞争格局。

为硅晶体拍照，光刻技术的闪亮登场

从晶体管的发明到集成电路的出现，这中间还有一个巨大的跨越，那就是如何将大量的电子器件微型化，以集成在一小片电路上。完成这一跨越，全世界最聪明的电子工程师们又花了十年时间，这十年也成为电子技术史上面的第一个关键时期。

20世纪50年代，在芯片出现之前，电子器件的连接几乎都要依赖手工完成。当时美国海军的一艘航空母舰有35万个电子设备，需要上千万个焊接点。这样的工程量使得电子设备的生产效率严重低下，电路的成品率也完全依赖操作人员的熟练度和准确度。

电子产业界都在呼唤微型化集成电路，也就是芯片的出现，而制作芯片的工艺正在贝尔实验室中酝酿。

从1950年起，贝尔实验室的几位化学家陆续完成了锗晶体和硅晶体的提纯。到1995年初，亨利·索罗制造出了杂质浓度小于千分之一的硅晶体。

与此同时，化学家卡尔文·富勒领导的小组研发出高温下锗晶体的杂质扩散工艺，可以通过精准地控制杂质进入锗晶体的深度和数量，制造出PN结。1955年，富勒研究小组已经把扩散技术应用在硅晶体上面，通过扩散技术将两种杂质注入硅片上，形成NPN结构。扩散技术至今仍然是晶体管制造的基础。

（贝尔实验室以扩散技术制造的第一个硅基晶体三极管）

同时在贝尔实验室工作的卡尔·弗洛希和林肯·德里克为扩散技术提出了一种全新的方式，那就是在硅片表明生成一层氧化膜，在其上蚀刻出窗口图形，从而使得杂质只能从窗口扩散到硅衬底中，而覆盖氧化膜的地方则被保护了起来。

在这些基础工艺实现之后，光刻技术的出现也呼之欲出