光刻技术简介

一、何为光刻技术

光刻技术(Photolithography)是微电子与集成电路制备最关键的工艺，其作用正如英文：光（photo）——石（litho）——书写（graphy），及利用光在芯片表面印刷出图案样式，以定义芯片的功能。

二、光刻技术大致流程

光刻技术的流程大致是：

1.涂胶：在硅片表面的二氧化硅薄膜涂上光刻胶（由光敏化合物等混合而成的可在特定波长光照下分解的有机溶剂）

2.前烘：烘培让胶膜里的溶剂充分挥发

3.曝光：将掩模版（石英玻璃制成的薄片涂上铬）吐糟光刻胶上以遮掩部分光刻胶

4.显彰：光线照射部分的光刻胶反应分解，被掩模版遮掩的部分则保留，最终形成了掩模版的图案

5.坚模：坚固光刻胶膜以防止被残留溶剂泡软膨胀

6.腐蚀：用腐蚀液将没有被光刻胶覆盖而暴露在外面的二氧化硅薄膜腐蚀掉

7.去胶：叫二氧化硅薄膜上的胶膜去掉

 图1.光刻工艺大致步骤

                                       

        我们可以将光刻技术类比为胶片摄影。胶片摄影是通过按下快门，光线通过镜头投射到胶卷上并曝光。之后通过“洗照片”，即将胶卷在显影液中浸泡，得到图像。光源通过掩膜版照射到光刻胶上，引起曝光区域的光刻胶发生化学反应，再通过显彰这一步溶解去除曝光区域或未曝光区域的光刻胶，使掩膜版上的图形被复制到光刻胶薄膜上，最后通过刻蚀技术将图形转移到硅片的基片上。

        其中，光刻技术又可细分为三种：接触式光刻、接近式光刻以及投影式光刻。这三种方法之间的区别主要体现在第三步曝光上。相较于接触式光刻和接近式光刻，投影式光刻具有掩模版损伤低，分辨率高的优点，也正因如此，投影式光刻是目前使用最多，也是效果最好的光刻技术。

图2.AMSL光刻机简易工作原理