硬件学习笔记--014 三极管基础知识介绍

1.三极管的定义

        三极管，全称应为半导体三极管，也称双极型晶体管、晶体三极管，是一种控制电流的半导体器件。其作用是把微弱信号放大成幅度值较大的电信号，也用作无触点开关。
        三极管是半导体基本元器件之一，具有电流放大作用，是电子电路的核心元件。三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结，两个PN结把整块半导体分成三部分，中间部分是基区，两侧部分是发射区和集电区，排列方式有PNP和NPN两种。

2.三极管的主要参数

2.1电流放大系数：电流放大系数是表示半导体三极管的电流放大能力的参数。 常用半导体三极管的值一般在20〜 200之间。由于制造工艺的 离散性，即使同一型号的半导体三极管，其值也有很大的差别， 使用前应予以测试。

2.2集电极-发射极反向饱和电流 ICEO：集电极-发射极反向饱和电流 ICEO表示基极开路， c、 e间加上一定反向电压时的集电极电流。 在选用半导体三极管时， ICEO愈小，管子对温度的稳定性愈好，工作愈稳定。

2.3集电极最大允许电流Icm：ICM是指BJT的参数变化不超过允许值时集电极允许的最大电流i。 当电流超过 ICM时， 管子性能将显著下降，甚至又烧坏管子的可能。

2.4 集电极最大允许功率损耗 PCM：集电极电流通过晶体管时引起功耗， 并使集电结发热， 结温升高， 为了限制温度不超过允许值， 而规定集电极功耗的最大值，称为集电极最大允许耗散功率 PCM。

2.5.反向击穿电压U(BR)CEO：基极开路时，在集射极之间的最大允许电压值，称为集射极反向电压。当UCE超过此值时，半导体三极管会被击穿而损坏。 温度升高时， U(BR)CEO值会下降。

3.三极管放大电路

        三极管是半导体基本元器件之一，具有电流放大作用，是电子电路的核心元件。其主要有以下 3种放大电路。

3.1共发射级放大电路

        输入信号与输出信号共用三极管发射极（E）。 因其具有电流、电压放大增益，所以被广泛应用于放大电路中。其特点如下：输入阻抗与输出阻抗居中（与其它两种放大电路相比），电流增益为三极管β值。该放大电路在三种放大电路中功率增益最大。

3.2共基放大电路

        输入信号与输出信号共同使用三极管基极（B） 。该电路主要应用在高频放大或震荡电路中。其电流增益为 β/𝛽+1，略小于 1。电压增益为输出阻抗除以输入阻抗。

3.3共集电极放大电路

        输入信号与输出信号共同使用三极管集电极（C）。该电路具有较高的输入阻抗和较低的输出阻抗，所以被用作阻抗匹配电路，以改善电压信号的负载效应（输出随负载改变的现象）。其电流增益为三极管β值。电压增益为 1，所以该电路又被叫做射级跟随器。