SIC知识--（5）：单晶衬底的常用检测技术

碳化硅（SiC）作为第三代半导体材料，因其宽禁带宽度、高击穿电场强度和高热导率等优异性能，在众多高端应用领域表现出色，已成为半导体材料技术的重要发展方向之一。SiC衬底分为导电型和半绝缘型两种，各自适用于不同的外延层和应用场景：

1. 导电型SiC衬底：通过同质外延生长和器件制造工艺，可用于制造SiC二极管、金属-氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）等功率器件。这些器件广泛应用于新能源汽车、光伏发电、轨道交通、智能电网、航空航天等领域。

2. 半绝缘型SiC衬底：适用于氮化镓（GaN）外延和高电子迁移率晶体管（HEMT）等微波射频器件的制造。这类器件主要应用于5G通信、卫星通信、雷达等领域。

在半导体产业链中，衬底材料作为晶圆制造的基础，不仅提供物理支撑，还负责导热和导电。特别是在SiC功率半导体器件中，由于采用了同质外延技术，衬底的质量直接影响外延材料的品质，进而决定了功率半导体器件的性能。鉴于SiC衬底在半导体器件制造中的重要性，其质量检测是确保器件性能的关键环节。本文简要介绍下SiC单晶衬底常用的检测技术。

一、几何参数

在碳化硅（SiC）衬底的生产和质量控制过程中，几何参数的测量是至关重要的。这些几何参数包括：

1. 厚度（Thickness）：衬底的物理厚度。

2. 总厚度变化（Total Thickness Variation, TTV）：衬底最厚处和最薄处之间的厚度差异。

3. 弯曲度（Bow）：衬底中心与边缘的高度差，反映衬底的整体弯曲情况。

4. 翘曲