MUR8060PT-ASEMI新能源功率器件MUR8060PT

最新推荐文章于 2024-08-03 20:39:35 发布
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分类专栏： 开关电源 二极管 半导体 文章标签： 单片机 嵌入式硬件 物联网
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MUR8060PT-ASEMI新能源功率器件MUR8060PT

型号：MUR8060PT

品牌：ASEMI

封装：TO-247

最大平均正向电流：80A

最大重复峰值反向电压：600V

产品引线数量：3

产品内部芯片个数：2

产品内部芯片尺寸：140MIL

峰值正向漏电流：<10ua

恢复时间：35ns

浪涌电流：600A

芯片材质：

最大正向电压：1.80V

工作结温：-40℃~170℃

包装方式：500/箱

MUR8060PT-ASEMI快恢复二极管的电性参数：正向电流80A；反向电压600V

MUR8060PT快恢复二极管广泛应用于开关电源、变频器、驱动器等电路，作高频、低压、大电流整流二极管、续流二极管、保护二极管使用，或在微波通信等电路中作整流二极管、小信号检波二极管使用。

SUNNYSPY001
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MUR6060PT-ASEMI快恢复二极管MUR6060PT
qyx3868的博客
03-29 3311
编辑-Z MUR6060PT在TO-247AD封装里采用的2个芯片，其尺寸都是140MIL，是一款超快恢复二极管。MUR6060PT的浪涌电流Ifsm为600A，漏电流(Ir)为10uA，其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。MUR6060PT采用抗冲击硅芯片材质，里面有2颗芯片组成。MUR6060PT的电性参数是：正向电流(Io)为60A，反向耐压为600V，正向电压(VF)为1.5V，恢复时间(Trr)为35nS，其中有3条引线。 MUR6060PT参数描述 型号：MUR6060PT 封
MUR8060PT-ASEMI快恢复二极管MUR8060PT
qyx3868的博客
06-21 804
MUR8060PT在TO-247封装里采用的2个芯片，其尺寸都是140MIL，是一款高耐压大电流快恢复二极管。MUR8060PT的浪涌电流Ifsm为600A，漏电流(Ir)为10uA，其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。MUR8060PT的电性参数是：正向电流(Io)为80A，反向耐压为600V，正向电压(VF)为1.8V，其中有3条引线。它的本体长度为21.18 mm，加引脚长度为41.38mm，宽度为16.01 mm，高度为5.20 mm，脚间距为5.54 mm。正向电流(Io)：80A。
MUR6060PT-ASEMI逆变焊机MUR6060PT
qyx3868的博客
06-25 189
MUR6060PT-ASEMI逆变焊机MUR6060PT
MUR4060PT-ASEMI逆变焊机MUR4060PT
qyx3868的博客
06-24 192
MUR4060PT-ASEMI逆变焊机MUR4060PT
MUR60120PT-ASEMI整流二极管MUR60120PT
qyx3868的博客
05-11 250
编辑-Z MUR60120PT在TO-247封装里采用的2个芯片，是一款大功率高耐压整流二极管。MUR60120PT的浪涌电流Ifsm为600A，漏电流(Ir)为10uA，其工作时耐温度范围为-55~175摄氏度。MUR60120PT采用GPP硅芯片材质，里面有2颗芯片组成。MUR60120PT的电性参数是：正向电流(Io)为60A，反向耐压为1200V，正向电压(VF)为3.0V，反向恢复时间(Trr)为75NS，其中有2条引线。 MUR60120PT参数描述 型号：MUR60120PT .
MUR6060PT-ASEMI低功耗半导体二极管MUR6060PT
12-16 132
MUR6060PT-ASEMI低功耗半导体二极管MUR6060PT
MUR80120PT-ASEMI快恢复二极管MUR80120PT
qyx3868的博客
06-25 435
MUR80120PT在TO-247封装里采用的2个芯片，其尺寸都是140MIL，是一款高耐压大电流快恢复二极管。MUR80120PT的浪涌电流Ifsm为600A，漏电流(Ir)为10uA，其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。MUR80120PT的电性参数是：正向电流(Io)为80A，反向耐压为1200V，正向电压(VF)为1.8V，其中有3条引线。它的本体长度为21.18 mm，加引脚长度为41.38mm，宽度为16.01 mm，高度为5.20 mm，脚间距为5.54 mm。芯片材质：抗冲击硅芯片。
MURF10100AC-ASEMI新能源功率器件MURF10100AC
12-18 410
MURF10100AC-ASEMI新能源功率器件MURF10100AC
MUR1060AC-ASEMI智能AI应用MUR1060AC
qyx3868的博客
06-20 127
MUR1060AC-ASEMI智能AI应用MUR1060AC
MUR3040PT的技术参数
12-11
产品型号:MUR3040PT峰值反向电压VRRM(V):400最大平均正向电流IO(A):3最大全周期正向压降VF(V):1.120最大非重复浪涌电流IFSM(A):150最大反向电流IR(mA):0.500封装/温度(℃):SOT-93/-65~175价格/1片(套):￥15.00 
Python库 | py_gen_mur-1.0.1-py3-none-any.whl
04-25
资源分类：Python库 所属语言：Python 使用前提：需要解压 资源全名：py_gen_mur-1.0.1-py3-none-any.whl 资源来源：官方 安装方法：https://lanzao.blog.csdn.net/article/details/101784059
MUR-100驱动、上位机库函数及演示软件1.9
10-06
同时，由于MUR-100具备良好的扩展性和灵活性，它可以与多种传感器、执行器和其他控制系统无缝对接，广泛应用于制造业、能源管理、环境监测等多个领域。 总之，MUR-100驱动、上位机库函数以及演示软件1.9构成了一个...
MUR-100读卡器驱动程序forwin7
08-06
MUR-100读卡器驱动程序是一款可以有效解决MUR-100读卡器出现的一些问题的驱动工具，支持xp/win7操作系统，需要手动进行安装。需要此款工具的朋友们可以前来下载使用。除了mur-100驱动之外，还给大家提供了mur-100...
电路元件基本知识详解
嵌入式工程师
08-02 1380
电路元件是现代电子技术的基础，了解这些元件的基本知识和工作原理对于电子电路的设计和应用至关重要。本文介绍了电阻器、电容器、电感器、二极管、晶体管、集成电路、开关和继电器等常见电路元件的基本概念、工作原理、常见类型及应用场景。电阻器由导电材料制成，根据欧姆定律（\(V = IR\)），其阻值表示电流与电压之间的比例关系，其中\(V\)是电压，\(I\)是电流，\(R\)是电阻。晶体管是一种具有放大和开关功能的半导体器件，通常由三个层次的半导体材料组成，分别是发射极、基极和集电极。电感的基本单位是亨利（H）。
江科大/江协科技 STM32学习笔记P13
sususu_2001的博客
07-25 1894
定时器的基准时钟一般都是主频72MHz，如果对72MHz计72个数，就是1us的时间，如果计72000个数就是1ms的时间。
双笼转子三相感应电动机瞬态分析（4）：电容制动过程分析
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07-31 980
根据考虑主磁路饱和效应的双笼转子三相感应电动机的数学模型，用Matlab/simulink建立起电容制动的仿真模型，用实例分别对不同性质的负载（空载运行，通风机负载、阻尼性负载和恒转矩负载）运行实行电容制动的过程进行仿真分析，得出有用的结果。
【单片机】如何设置蓝牙HC05模块的工作状态，两个HC-05蓝牙模块互相绑定连接双工
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q742971636的博客
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HC-05蓝牙模块是一款高性能的蓝牙串口模块，适用于各种带蓝牙功能的设备。它具有两种主要工作模式：命令响应工作模式和自动连接工作模式。在自动连接工作模式下，模块可以分为主（Master）、从（Slave）和回环（Loopback）三种角色。通过上述步骤，你可以将两个HC-05蓝牙模块互相绑定，并构成无线串口模块，从而实现设备之间的无线通信。希望这个教程对你有所帮助。
SCT71401 一款低压差线性稳压器
Yyq13020869682的博客
08-02 401
SCT71401 系列产品是一款低压差线性稳压器，设计用于宽输入电压范围3V到40V（45V瞬态输入电压）和150mA输出电流。在轻负载下，SCT71401系列产品的典型静态电流仅为2.5μA，使其成为使用电池供电的便携式设备的理想选择，也可以作为微控制器（MCU）和总线/LIN收发器在常开系统中的电源的可选解决方案。SCT71401系列产品提供固定的3.3V和5V输出电压版本，同时也可提供1.2V、1.8V、2.5V、3V、4.2V和4.5V固定输出电压版本。• 宽输入电压范围：3V-40V。
推导mur一阶吸收边界条件
05-31
首先，我们需要知道什么是Mur一阶吸收边界条件。Mur一阶吸收边界条件是一种常用于时域有限差分方法中的边界条件，用于模拟电磁波在无限大空间中传播时的边界情况。 假设我们的仿真区域是一个正方形，其中一个边界面（假设为x方向）的位置为x=0，我们需要将这个边界面视为吸收边界，即电磁波在这个边界面上的反射应该被尽可能吸收。 Mur一阶吸收边界条件可以通过以下步骤推导得到： 1. 首先，我们需要将边界面上的电磁场分解为两个方向，垂直于边界面的电磁场（假设为Ey）和平行于边界面的电磁场（假设为Ez）。 2. 然后，我们需要在边界面上引入一个虚拟面（假设为x=-dx/2），在这个虚拟面上，我们需要将垂直于边界面的电磁场（Ey）反射回来。 3. 接下来，我们需要在虚拟面上引入一个反射系数（假设为R1），用来控制反射电磁波的振幅大小。 4. 然后，我们需要在虚拟面与边界面之间再引入一个虚拟面（假设为x=-dx），在这个虚拟面上，我们需要将平行于边界面的电磁场（Ez）反射回来。 5. 同样地，我们需要在这个虚拟面上引入一个反射系数（假设为R2），用来控制反射电磁波的振幅大小。 6. 最后，我们需要对边界面上的电磁场进行修正，使得边界面上的电磁波在经过反射之后，相当于在虚拟面上产生了吸收。 通过这样的推导过程，我们可以得到Mur一阶吸收边界条件的具体表达式。
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