MUR80120PT-ASEMI快恢复二极管MUR80120PT

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MUR80120PT在TO-247封装里采用的2个芯片,其尺寸都是140MIL,是一款高耐压大电流快恢复二极管。MUR80120PT的浪涌电流Ifsm为600A,漏电流(Ir)为10uA,其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。MUR80120PT采用抗冲击硅芯片材质,里面有2颗芯片组成。MUR80120PT的电性参数是:正向电流(Io)为80A,反向耐压为1200V,正向电压(VF)为1.8V,其中有3条引线。

 

MUR80120PT参数描述

型号:MUR80120PT

封装:TO-247

特性:高耐压大电流

电性参数:80A 1200V

芯片材质:抗冲击硅芯片

正向电流(Io):80A

芯片个数:2

正向电压(VF):1.8V

芯片尺寸:140MIL

浪涌电流Ifsm:600A

漏电流(Ir):10uA

工作温度:-55~+150℃

引线数量:3

MUR80120PT是TO-247封装系列。它的本体长度为21.18 mm,加引脚长度为41.38mm,宽度为16.01 mm,高度为5.20 mm,脚间距为5.54 mm。

以上就是关于MUR80120PT-ASEMI快恢复二极管MUR80120PT的详细介绍。ASEMI产品广泛应用于:开关电源、LED照明、集成电路、移动通讯、计算机、工业自动化控制设备、汽车电子以及液晶电视、IoT、智能家居、医疗仪器、 电磁炉等大小家电。

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首先,我们需要知道什么是Mur一阶吸收边界条件。Mur一阶吸收边界条件是一种常用于时域有限差分方法中的边界条件,用于模拟电磁波在无限大空间中传播时的边界情况。 假设我们的仿真区域是一个正方形,其中一个边界面(假设为x方向)的位置为x=0,我们需要将这个边界面视为吸收边界,即电磁波在这个边界面上的反射应该被尽可能吸收。 Mur一阶吸收边界条件可以通过以下步骤推导得到: 1. 首先,我们需要将边界面上的电磁场分解为两个方向,垂直于边界面的电磁场(假设为Ey)和平行于边界面的电磁场(假设为Ez)。 2. 然后,我们需要在边界面上引入一个虚拟面(假设为x=-dx/2),在这个虚拟面上,我们需要将垂直于边界面的电磁场(Ey)反射回来。 3. 接下来,我们需要在虚拟面上引入一个反射系数(假设为R1),用来控制反射电磁波的振幅大小。 4. 然后,我们需要在虚拟面与边界面之间再引入一个虚拟面(假设为x=-dx),在这个虚拟面上,我们需要将平行于边界面的电磁场(Ez)反射回来。 5. 同样地,我们需要在这个虚拟面上引入一个反射系数(假设为R2),用来控制反射电磁波的振幅大小。 6. 最后,我们需要对边界面上的电磁场进行修正,使得边界面上的电磁波在经过反射之后,相当于在虚拟面上产生了吸收。 通过这样的推导过程,我们可以得到Mur一阶吸收边界条件的具体表达式。
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