模拟电路&仿真LTspice（5）：MOS管特性曲线

好久没有回顾旧知识了，重新温习一下模拟电路，若有误之处，烦请指教。

MOS管特性曲线主要又Id漏极电流和Vds漏-源电压组成（NMOS管型号：BSS1445为例，Vds=100V，Rds=3.5欧）。与三极管不同的是：

三极管基极b加电流来改变特性曲线，而MOS管则是门极g加电压即Vgs来改变特性曲线，所以他们之间最明显的就是流控和压控的区别。

不多说，上图：

• .dc表示电路直流测试
• Vds表示ds端电压变化从0到100V，递进值0.2V
• Vgs表示be端电压变化从0到16V，递进值2V （这里选了一个Ron=3.5Ω较大的MOS管，所以Id小一点）

由曲线可明显发现：

1、Vgs=4V红色曲线下的蓝色和绿色曲线基本上处于截止区；

2、每条曲线的线性区是放大区；

3、水平区域是饱和区。

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