SDRAM的刷新操作

原文地址：SDRAM的刷新操作 作者：SUN_403

  刷新操作分为两种：自动刷新（Auto Refresh，简称 AR）与自刷新（Self Refresh，简称 SR）。不论是何种刷新方式，都不需要外部提供行地址信息，因为这是一个内部的自动操作。对于 AR， SDRAM 内部有一个行地址生成器（也称刷新计数器）用来自动的依次生成行地址。由于刷新是针对一行中的所有存储体进行，所以无需列寻址，或者说 CAS 在 RAS 之前有效。所以，AR 又称 CBR（CAS Before RAS，列提前于行定位）式刷新。由于刷新涉及到所有 L-Bank，因此在刷新过程中，所有 L-Bank 都停止工作，而每次刷新所占用的时间为 9 个时钟周 期（PC133 准），之后就可进入正常的工作状态，也就是说在这 9 个时钟期间内，所有工作指令只能等待而无法执行。64ms 之后则再次对同一行进行刷新，如此周而复始进行循环刷新。显然，刷新操作肯定会对SDRAM 的性能造成影响，但这是没办法的事情，也是 DRAM 相对于 SRAM（静态内存，无需刷新能保留数据）取得成本优势的同时所付出的代价。SR 则主要用于休眠模式低功耗状态下的数据保存，这方面最著名的应用就是STR（Suspend to RAM，休眠挂起于内存）。在发出 AR 命令时，将 CKE 置于无效状态，就进入了 SR 模式，此时不再依靠系统时钟工作，而是根据内部的时钟进行刷新操作。在 SR 期间除了 CKE 之外的所有外部信号都是无效的（无需外部提供刷新指令），只有重新使 CKE 有效才能退出自刷新模式并进入正常操作状态。