DDR学习

一级标题DDR的基本组成和硬件原理

内存子系统从CPU到memory芯片的逐层关系为

Cpu出来后到Memory Controller出来后先到Channel，每个Channel都要有一组控制寄存器用于配置和操作memory芯片

DIMM

双列直插式存储器模块或双线存储器模块（Dual In-line Memory Module，简称DIMM）是指一系列由动态随机存取存储器（DRAM）组成的模块。DIMM通常是数颗至数十颗DRAM芯片焊接安装于一块已制作好电路的印刷电路板的形式，用于个人电脑、工作站、服务器。相比SIMM两边针脚相连在一起，DIMM两边针脚是独立的。

双通道内存控制器（Dual Channel）

双通道内存控制器（Dual Channel），动态随机存储器（DRAM）分别连接两个不同的总线（bus），让两个内存控制器并行访问它们，这样总线理论带宽提高一倍。在理论上可以有更多的信道被创建（为每一个DRAM单元创建单独信道将是理想的解决方案），但是由于线路数量、电容器、需要并行接入线路具有相同的长度，添加信道越多，设计越复杂。

DDR 定义：

DDR全称为Double Data Rate Synchronous Dynamic Random Access Memory，中文名为双倍数据速率同步动态随即存取存储器。
双倍速率是指数据信号DQ右DQS时钟上升、下降沿采样来说的，即一个时钟周期内传输两次数据，这也是与早期SDR（Single Data Rate）SDRAM的重要区别，（Single Data Rate）SDRAM在一个时钟周期内只传输一次数据，它是在时钟的上升沿采样的。
同步是指内存工作需要同步时钟，内部的命令和发送的与数据的传输都以同一个时钟为基准，由统一时钟边沿去采样即为同步。
动态是指DRAM需要周期地刷新（给存储电容充电）从而使电容保存的信息不丢失。DDR至少64ms整体刷新一次。而DDR读取操作也会存储电容的电量丢失，因此每次读操作后也需要有一个回写（刷新）操作。
随机访问指的是当存储器中的消息被读取或写入时，所需要的时间与这段信息所在的位置无关。相对的，读取或写入顺序访问（SequentialAccess）存储设备中的信息时，其所需要的时间与位置就会有关系。随机访问带来的特点是读写速度快。

总结

主要是针对DDR的发展和原理进行了学习，主要集中在硬件的组成原理，其中涉及到Channel > DIMM > Rank > Chip > Bank > Row/Column，其组成如下图所示：

DIMM

Channel：一个主板上可能有多个插槽，用来插多根内存。这些槽位分成两组或多组，组内共享物理信号线。这样的一组数据信号线、对应几个槽位（内存条）称为一个channel（通道）。简单理解就是DDRC(DDR控制器)，一个通道对应一个DDRC。CPU外核或北桥有两个内存控制器，每个控制器控制一个内存通道。内存带宽增加一倍。（理论上）

DIMM

DIMM(dual inline memory module)是主板上的一个内存插槽。一个Channel可以包括多个DIMM。

Rank

Rank是一组内存芯片的集合，当芯片位宽x芯片数=64bits（内存总位宽）时，这些芯片就组成一个Rank。一般是一个芯片位宽8bit，然后内存每面8个芯片，那么这一面就构成一个Rank（为了提高容量，有些双面内存条就有两个rank。在DDR总线上可以用一根地址线来区分当前要访问的是哪一组）。同一个Rank中的所有芯片协作来共同读取同一个Address（一个Rank8个芯片 * 8bit = 64bit），这个Address的数据分散在这个Rank的不同芯片上。设计Rank的原因是这样可以使每个芯片的位宽小一些，降低复杂度。

Chip

Chip是内存条上的一个芯片。由图中是由8个bank组成了一个memory device。

Bank

Bank是一个逻辑上的概念。一个Bank可以分散到多个Chip上，一个Chip也可以包含多个Bank。Bank和Chip的关系可以参考下面的图，每次读数据时，选定一个Rank，然后同时读取每个chip上的同一bank。

Row/Column组成的Memeory Array

Bank可以理解为一个二维数组bool Array[Row][Column]。而Row/Column就是指示这个二维数组内的坐标。注意读取时每个Bank都读取相同的坐标。

后续再补充DDR寻址相关内容学习笔记

参考文章

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