今天给大家介绍一下另一类signoff阶段需要修复的Violation——EM violation。
首先,我们也还是来了解下EM violation的概念。EM全称electro-migration,电子迁移。当电子流过金属层时,会与金属层中的原子发生碰撞,碰撞导致金属的电阻增大,并且会发热。在一定时间内如果有大量的电子同金属原子发生碰撞,金属原子就会沿着电子的方向进行流动。导致金属连线断裂,这种现象我们称之为EM电迁移现象。
那在我们后端布局布线中,EM一般产生的原因有以下几种:
1)金属线太长
2)fanout太多
3)cell驱动太强
4)数据的transition time太快
我们依次分析一下这些原因:
1)金属线太长
金属线太长,有时会导致EM违例的产生。因为过长的金属会增加互连线的电阻,使得线上的局部温度增加,可能就会出现EM的可靠性问题。
2)fanout太多
同样地,如果fanout太多的话,也会导致大电流的产生,特别是在很多fanout同时翻转的情况下,会明显地导致金