【EM（electron migration）】

原创文章：EM现象出现的原因及解决办法
定义：金属线上允许通过的最大电流是有限的，过大的电流会使金属连线断裂，导致芯片失效，这种现象叫作EM现象。

过大的长期电流导致金属阳离子在正极堆积，形成小丘或突起，在阴极容易出现空洞。特别的在高温条件下，金属离子比较活泼，电子容易推动这种迁移。这种迁移会导致短路或者断路。（也就是说电流和温度会影响EM效应）

原因——解决方法：

1. 单元驱动能力大，虽然可以驱动更大负载和更长的金属连线，但是会导致电流大。
   ——换用驱动能力更小的单元
2. 互连线长度过长，导致电阻大，带来的热效应会很大，更容易发生EM。——插入buffer将长线打断。
3. fanout过大，当很多单元同时翻转时，电流过大，EM加剧。——使用buffer分流解决。
4. 通用的解决方法，也就是说不管是因为上述哪个原因造成的，都可以采用。
   ——采用NDR（non default rule）或者patch wire起到加宽金属线的作用，提高载流能力。
   ——使用高层金属，高层金属具有电阻小，载流能力强的优点。

NDR：非默认绕线规则，如需要采用双倍宽度的绕线规则时，需要现在lef文件中定义NDR的具体规则，然后再使用这个规则。
patch wire:补丁线。先进工艺中的一种走线，用于修复Min Area, Min step等DRC，不属于net,还可以修复EM violation .