记AIR32 IO最大翻转速率测试

单片机IO最大翻转速率一直是我很感兴趣的一个要点，一方面可以体现出单片机内部电路水平，另一方面也反映了单片机的实际代码执行速度。

一般情况下我们都认为C语言是效率最高的高级语言，但到底有多高，其实是个很玄学的问题。nop延时就是很好的证明，明明理论上是单周期命令，已经深入到汇编层面了，但72M主频的单片机，nop72M次消耗的时间，远超预期的1S，可能会到10S，也就是说我们的代码实际执行速度比理论要慢得多，由于单片机内部原理过于复杂我也不了解，无法解释。只能通过一些测试来获得表面数据来获得一种直观的感受。

以前没学过汇编，翻转IO测试最快的就是用C语言操作寄存器（GPIOX->ODR或者GPIOX->BSRR），当时测出的结果大约是42M。

这阵子学linux的时候了解了下汇编，于是就想先在这上面练练手，顺便探究一下IO的极限波形和单片机的极限运行效率大概是多少。随手找了个air32的工程，初始化PA0推挽输出50M，汇编部分，R0存放GPIOA->ODR寄存器地址，R1存放1，R2存放0，只需要连续把R1赋值给R0，R2赋值给R0循环即可。

    AREA	TEST,CODE,READONLY;
    EXPORT blink;
blink
    LDR R0,=0x4001080C;
loop
    LDR R1,=1;
    STR R1,[R0];
    LDR R1,=0;
    STR R1,[R0];
    ...省略...
    LDR R1,=1;
    STR R1,[R0];
    LDR R1,=0;
    STR R1,[R0];
    B loop;
    END;

可能有的人就要问了,“B loop”已经实现了死循环,为什么中间还要复制大片,两句代码不就行了吗?

因为B本身也是一个语句,也需要运行时间,所以一次循环内翻转的次数越多,示波器上越多的会显示出真实的最大翻转速率。

IO推挽输出，速率50M下的极限翻转波形

 示波器打PA0波形如上，这里得出一个结论和一个问题，结论是：翻转IO口这件事上，C语言直接操作寄存器的代码运行效率和汇编没什么区别。问题是，代码中高电平和低电平的持续时间是相同的，但单片机内部电路决定，IO的上升时间一定比下降时间要长，可是这里实际高电平持续时间比低电平持续时间更长。比较反常，笔者学识有限无法得出答案，希望有大神评论区解释一下。

可能有网友也看出来了，以上汇编代码其实不是最理想的，经过群友提醒后，我把代码又优化了一下。

    AREA	TEST,CODE,READONLY;
    EXPORT blink;
blink
    LDR R0,=0x4001080C;
    LDR R1,=1;
    LDR R2,=0;
loop
    STR R1,[R0];
    STR R2,[R0];
    ...省略...
    STR R1,[R0];
    STR R2,[R0];
    B loop;
    END;

把0和1状态分别存入两个寄存器，就可以在loop中不间断写入外部寄存器而不用再花费时间去赋值了。

代码优化后波形

这里又遇到了一个问题，拉高拉低一个周期的汇编代码从4句减少到2句，但实际翻转频率并没有受影响。 而高电平持续时间变成了理想的，高电平短于低电平，因为IO拉高比拉低需要的时间更长，符合预期。

这里再插入一个热知识科普，STM32的IO初始化时配置的“speed”（2M,10M,50M），实际不会影响翻转频率，改变的是“压摆率”，也就是波形上升和下降的速度。也就是说，IO输出频率是可以超过设置的“速度”频率的，只是这时候波形可能就接近正弦波了，因为上升和下降都很慢，还没上升到VCC内部就拉低了。

速度设置为10M的波形

速度设置为2M的波形

 2M的波形可以很直观的看出来，频率其实依然可以跑到42M，只是波形还没来得及上升就下降了，导致高电平远低于理想的VCC。至于10M为什么意外的好，只能说我也很意外，不知道。可能是因为air32的生产工艺遥遥领先吧。