大功率MOSFET场效应管、IGBT管栅极驱动芯片EG2132

本文介绍了EG2132这款针对大功率驱动的栅极驱动芯片,其具有半桥驱动能力强、电路简洁、成本效益高的特点,特别适合PWM驱动应用。它支持高频操作,配备HIN/LIN双通道控制,能有效降低损耗并提供灵活的驱动方案。

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栅极驱动芯片EG2132

做电源、电机驱动等都离不开栅极专用驱动集成电路,PWM驱动的情况下,用IO直接驱动大功率的MOSFET或IGBT,管子损耗会比较大,且频率可能上不去,那么就要使用专门的驱动芯片。
推荐原因:半桥驱动能力强、电路简单、批量价格0.39元,香不香?另外HIN/LIN分开驱动,在某些情况下,驱动更灵活。

电路简单

EG2132电路图

特点

高端悬浮自举电源设计,耐压可达 300V
适应 5V、3.3V 输入电压
最高频率支持 500KHZ
输出电流能力 IO+/- 1.0A/1.5A
自带闭锁功能,彻底杜绝上、下管输出同时导通
HIN 输入通道高电平有效,控制高端 HO 输出
LIN 输入通道高电平有效,控制低端 LO 输出
封装形式:SOP8

EG2132引脚定义

EG2132引脚定义

引脚描述

EG2132引脚描述

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