EG2132 MOS管栅极驱动芯片

最新推荐文章于 2025-01-16 23:54:49 发布
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文章标签： 硬件工程
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版权
1.特性
高端悬浮自举电源设计，耐压可达 300V
适应 5V、3.3V 输入电压
最高频率支持 500KHZ
低端 VCC 欠压关断输出
输出电流能力 IO +/- 1.0A/1.5A
内建死区控制电路
自带闭锁功能，彻底杜绝上、下管输出同时导通
最低0.47元/天 解锁文章
EG3112 大功率MOS管、IGBT管栅极驱动芯片
Carl_13423943396的博客
06-03 1377
EG3112 大功率MOS管、IGBT管栅极驱动芯片 封装：SOP-8
EG3033 三相P/N MOS管栅极驱动芯片
Carl_13423943396的博客
06-03 977
EG3033 三相P/N MOS管栅极驱动芯片 封装：SOP-16
EG2106 MOS管驱动芯片
Carl_13423943396的博客
01-18 1711
管栅极驱动专用芯片，内部集成了逻辑信号输入处理电路、欠压保护电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路，专用于无刷电机控制器、电源 DC-DC。 无线充电驱动器变频水泵控制器。高端悬浮自举电源设计，耐压可达。输入通道高电平有效，控制高端。输入通道高电平有效，控制低端。 移动电源高压快充开关电源。在输入悬空时使上、下功率。 DC-DC 电源。
MOS管升压驱动芯片
02-10
高边驱动MOS管升压驱动芯片,芯片集成电荷泵.
EG2121中压250V1A半桥驱动芯片
Carl_13423943396的博客
01-18 792
管栅极驱动专用芯片，内部集成了逻辑信号输入处理电路、死区时控制电路、欠压关断电路、闭锁电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路，专用于无刷电机控制器中的驱动电路。该芯片具有闭锁功能防止输出功率管同时导通，输入通道HIN。自带闭锁功能，彻底杜绝上、下管输出同时导通。，在输入悬空时使上、下功率 MOS。高端悬浮自举电源设计，耐压可达。输入通道高电平有效，控制高端。输入通道低电平有效，控制低端。是一款高性价比的大功率。移动电源高压快充开关电源。
常用的Mos管驱动芯片
sinat_15677011的博客
08-08 4084
MOSFET驱动芯片是用于驱动MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）的集成电路，它们可以提供足够的电流来快速开启和关闭MOSFET，以提高效率并减少开关损耗。
EG2103 MOS管驱动芯片
Carl_13423943396的博客
01-18 1288
欠压保护电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路，专用于无刷电机控制器、电源。管栅极驱动专用芯片，内部集成了逻辑信号输入处理电路、高端悬浮自举电源设计，耐压可达。输入通道高电平有效，控制高端。输入通道低电平有效，控制低端。无线充电驱动器变频水泵控制器。在输入悬空时使上、下功率。移动电源高压快充开关电源。
EG3012S 60V半桥驱动芯片
Carl_13423943396的博客
06-03 802
EG3012S 60V半桥驱动芯片 封装SOP-8
EG3116D 大功率MOS管、IGBT管栅极驱动芯片
Carl_13423943396的博客
06-03 599
EG3116D 大功率MOS管、IGBT管栅极驱动芯片 封装：SOP-8
GR2103高压半桥栅极驱动芯片
最新发布
易板
01-16 359
GR2103是一款高性价比的高压半桥栅极驱动专用芯片，设计用于高压、高速驱动N型大功率 MOS管、IGBT管。内置欠压（UVLO）保护功能，防止功率管在过低的电压下工作，提高效率。内置防止直通功能和死区时间，防止功率管发生直通，有效保护功率器件。广泛应用于无刷电机的控制器电路中。
IGBT驱动芯片
12-23
IGBT驱动芯片集成饱和压降检测和驱动,饱和压降修改灵活保护速度快
MIC5019最新的mos管驱动芯片
04-01
最新的mos管驱动芯片 ，比传统的驱动节约空间，性能更加优越。
IGBT各类驱动芯片
08-19
相当齐全的IGBT驱动，希望对各位有用 　　对于IGBT 电压型功率器件，目前有多种带保护和隔离的集成驱动芯片，如IR2110、EXB841、M57962 等，它们具有隔离驱动、电路参数一致性好、运行稳定的优点[2]。这些混合IC具有各自的特点，应用于不同的场合，也有一定的局限性.....
IGBT驱动芯片IR2101资料
06-26
这是一个IR2101的芯片资料，此芯片能提供高达600V的驱动电压，有很大的驱动电流，大家可以考虑用。
MOS管工作原理及芯片汇总
07-16
MOS 管介绍 在使用 MOS 管设计开关电源或者马达驱动电路的时候，一般都要考虑MOS 的导 通电阻，最大电压等，最大电流等因素。 MOSFET 管是FET 的一种，可以被制造成增强型或耗尽型，P 沟道或N 沟道共4 种类型，一般主要应用的为增强型的NMOS 管和增强型的PMOS 管，所以通常 提到的就是这两种。 这两种增强型 MOS 管，比较常用的是NMOS。原因是导通电阻小且容易制造。 所以开关电源和马达驱动的应用中，一般都用NMOS。 在 MOS 管内部，漏极和源极之间会寄生一个二极管。这个叫体二极管，在驱动 感性负载(如马达)，这个二极管很重要，并且只在单个的MOS 管中存在此二极管， 在集成电路芯片内部通常是没有的。 MOS 管的三个管脚之间有寄生电容存在，这不是我们需要的，而是由于制造工 艺限制产生的。寄生电容的存在使得在设计或选择驱动电路的时候要麻烦一些， 但没有办法避免
LT1910高端MOS管驱动IC
TSINGHUAJOKING
09-10 8644
  01实验背景 在 STC单片机功率控制下载板 中提到使用LT1910驱动功率MOS作为STC WiFi功率下载转接板控制电源器。替代原来设计的MAX202(MAX3232)的方案。 LT1910 是由LINEAR TECHNOLOGY出品的用于驱动高端（电源端）N-MOS功率管芯片。内部集成有电荷泵，无需外部器件便可以驱动N-MOS管的导通。 LT1910还可以对MOS漏极上串联的电流采样电阻进行检测。如果MOS漏极电流过流，则自动关闭MOS驱动，关闭的时间由外部电容设定。 LT1910可
MOS管驱动芯片 IX4426 IX4427 IX4428
weixin_39406189的博客
01-04 1124
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）低端 栅极驱动器 IC 非反相 8-SOIC。N 沟道，P 沟道 MOSFET。电流 - 峰值输出（灌入，拉出）逻辑电压 - VIL，VIH。Digi-Key 零件编号。上升/下降时间（典型值）
大功率MOSFET场效应管、IGBT管栅极驱动芯片EG2132
易板
03-27 3279
栅极专用驱动集成电路，半桥驱动能力强、电路简单、HIN/LIN分开驱动，批量价格0.39元
MOS管半桥驱动芯片原理
weixin_46957846的博客
12-01 6705
芯片IR210x系列是驱动MOS半桥电路的专用芯片，通过外部二极管D1与电容C1获得自举电源（二极管可以防止升压后电源倒灌），用来驱动上端MOS管，
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