50P04一款TO252封装 MOSFET参数应用解析

最新推荐文章于 2024-10-14 14:28:42 发布
最新推荐文章于 2024-10-14 14:28:42 发布
阅读量184 收藏
点赞数
分类专栏： mosfet型号参数解析 文章标签： MOS管 半导体 硬件工程
版权声明：本文为博主原创文章，遵循 CC 4.0 BY-SA 版权协议，转载请附上原文出处链接和本声明。
本文链接：https://blog.csdn.net/VBsemi/article/details/133648279
版权

50P04（VBE2412）
参数描述：
P沟道,-40V,-65A,RDS(ON),10mΩ@10V,13mΩ@4.5V,20Vgs(±V)；-1.6Vth(V)；TO252


型号参数介绍：
50P04 (VBE2412)参数说明：P沟道，-40V，-65A，导通电阻10mΩ@10V，13mΩ@4.5V，20Vgs(±V)，阈值电压-1.6V，封装：TO252。


应用简介：50P04适用于高功率开关和电流控制等领域。
其高电流承载能力和低导通电阻有助于提高效率和降低功率损耗。
适用领域与模块：适用于高功率开关、电流控制和模拟开关等领域模块，特别适合高功率要求的场景。

微碧VBsemi
关注
专栏目录
MDD | TO-252封装选型指南
m0_67235972的博客
08-09 2069
MDD TO-252封装选型指南来了！ TO-252 产 品 特 点 Product Features 贴片设计 (占用空间小，节约插件成本，提升生产效率) 更高的可靠性 (全铜框架结构，导电性和导热性更好) 更低的热阻 (铜面/焊盘更大，散热更快) 产品种类多样化 (可以根据客户要求来定制) TO-252 产 品 应 用 product Application 应用于开关电...
STU417S_TO252封装MOSFET参数应用
VBsemi的博客
09-26 143
总之，STU417S高性能P沟道MOS管在电源管理、电动汽车控制、工业自动化、LED照明控制和太阳能逆变器等多个领域都有重要应用，适用于需要高性能功率开关的模块。LED照明控制：LED照明系统需要精确的电流和电压控制，STU417S可用于LED驱动电路，实现高效的照明控制。电动汽车控制：在电动汽车的电机控制中，STU417S可用于直流电机驱动和逆变器，确保电动汽车的高效性能。工业自动化：工业自动化系统需要稳定的电源和精确的控制，STU417S可以在各种工业自动化设备中发挥作用。
12N50U-VB一种N-Channel沟道TO220F封装MOS管
VBsemi的博客
07-22 141
该器件具有 650V 的漏源电压 (VDS) 和 ±30V 的栅源电压 (VGS)，阈值电压 (Vth) 为 3.5V。通过以上示例，可以看出 12N50U-VB MOSFET 在一些中功率的应用场合具备较好的性能和稳定性，是许多电子系统中的重要组成部分。- 在一些中功率的电动工具中，如电动钻、电动锯等，通过其适中的电流处理能力和稳定性，提供可靠的电动工具性能。| 导通电阻 (RDS(ON)) | 680mΩ @ VGS=10V || 栅源电压 (VGS) | ±30V || 封装 | TO220F |
PMOS和NMOS引脚及封装
陆洋的博客
01-27 8023
首先MOS管都有三个引脚，分别是源级S、栅极G和漏级D，但是PMOS和NMOS引脚是有区别的 PMOS NMOS 两个SOT-23的封装引脚对应都是一样的，具体如下
LM7809三端稳压管TO252封装
szpc1621的博客
05-04 736
该电路内部设有过热、过流及安全工作区补偿等功能，只要加上适当外接散热板以及适当的输入电压，输出电流可以大于。该电路不仅可以用作为固定输出电压源，如果配置上适当的外围元件，还可以输出所需的其它电。该系列为固定电压的三端正电源稳压电路，主要应用于各种电子设备中作固。内部设有输出晶体管安全区补偿。外接元件少，适用性强。
SUD50P04-09L-E3-VB一款TO252MOSFET参数应用解析
VBsemi的博客
10-18 81
功率放大器：在需要放大电流的模块中，SUD50P04-09L-E3可以作为输出级别的功率放大器，提供高电流和低电阻的特性。- 电池管理：在电池管理模块中，可以使用SUD50P04-09L-E3来实现电池的充放电控制，提供强大的功率开关能力。综上所述，SUD50P04-09L-E3适用于开关电源、驱动电路、电池管理和功率放大器等领域模块。- 开关电源：可以应用于电源开关、DC-DC转换器和逆变器等电源模块中，用于实现高效的功率转换。- 阈值电压（Vth）：-1.6V。- 最大耐压：-40V。
NP50P04SDG-VB一款P—Channel沟道TO252的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明
VBsemi_MOS的博客
10-14 122
该器件在VGS=10V时，具有10mΩ的RDS(ON)，并在VGS=20V时工作，其阈值电压为-1.6V。4. **LED照明控制：** 在LED照明控制应用中，NP50P04SDG-VB可用作LED驱动器的开关元件，用于调节LED亮度和控制电流。2. **电机驱动：** 在电机驱动模块中，NP50P04SDG-VB可以用作电机驱动器中的电流控制开关，特别适用于低电压直流电机的驱动。3. **电源逆变器：** 在电源逆变器中，NP50P04SDG-VB可用作逆变器桥的关键组件，用于将直流电转换为交流电。
SUD50P04-08-GE3-VB_MOSFET产品应用与参数解析
VBsemi的博客
10-20 110
其最大耐压为-40V，最大电流为-65A，具有低导通电阻和高性能。该器件适用于多种应用领域的模块设计，包括但不限于：1. 电源管理模块：适用于高功率DC-DC转换器、逆变器以及汽车电子中的负极电源控制。型号：SUD50P04-08-GE3丝印：VBE2412品牌：VBsemi详细参数说明：- 类型：P沟道MOSFET- 最大耐压：-40V- 最大电流：-65A- 导通电阻：10mΩ@10V, 13mΩ@4.5V- 门源电压：20Vgs (±V)- 门阈电压：-1.6Vth- 封装：TO252。
NP50P04SDG-E1-AY-VB一款P—Channel沟道TO252的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明
VBsemi_MOS的博客
10-14 205
1. **电源开关：** NP50P04SDG-E1-AY-VB的高漏极电流承受能力和低导通电阻使其成为电源开关应用的理想选择。2. **电池保护：** 在便携式设备和电池供电系统中，NP50P04SDG-E1-AY-VB可以用于电池保护电路，包括过充、过放和短路保护。4. **工业自动化：** 在工业自动化领域，NP50P04SDG-E1-AY-VB可用于驱动各种负载，如电磁阀、继电器和电热器等。- **型号：** NP50P04SDG-E1-AY-VB。- **阈值电压（Vth）：** -1.6V。
TO-252_TO-251A_TO-251A1_TO-251_TO-126_TO-220封装
03-31
TO-252_TO-251A_TO-251A1_TO-251_TO-126_TO-220封装
IPD50P04P4-13-VB一款P沟道TO252封装MOSFET应用分析
11-24
IPD50P04P4-13-VB是一款由VBsemi公司生产的P沟道金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET），它采用TO252封装，适用于电源管理、开关和驱动应用。以下是这款MOSFET的关键特性和技术参数的详细分析： 1. **TrenchFET...
HM70P04K-VB一款P沟道TO252封装MOSFET应用分析
01-10
HM70P04K-VB是一款P沟道金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET），采用TO252封装，适用于需要高效能和低热阻的应用。TO252封装的设计有助于减少器件在工作时产生的热量，提高了整体系统效率。此MOSFET的特点是采用了...
ME50P04-VB一款P-Channel沟道TO252的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明
10-12
-40V;-65A;RDS(ON)=10mΩ@VGS=10V;VGS=20V;Vth=-1.6V
硬件工程师必须掌握的MOS管详细知识
热门推荐
2401_86482345的博客
08-11 1万+
MOS管，全称为金属-氧化物半导体场效应晶体管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor，MOSFET），是一种重要的半导体器件，广泛应用于电子工业中各种电路的开关、放大、调制、数字电路和模拟电路等领域。电压控制：MOS管是一种电压控制型器件，通过改变栅极与源极之间的电压（VGS）来控制漏极与源极之间的电流（ID）。主要参数：包括栅源极最大驱动电压（VGS）、漏源电压（VDS）、漏源导通电阻（RDS(on)）、栅极电荷（Qg）、漏极电流（Id）等。
基于H5的宿舍管理系统.zip
11-09
基于SSM的毕业设计源码
CSP-J历年复赛真题资源.txt
最新发布
11-09
CSP-J历年复赛真题资源.txt
【激光雷达】激光雷达数据处理（点云数据滤波、误差分析、模型验证、三维表面拟合）【含Matlab源码 9065期】.mp4
11-09
Matlab领域上传的视频均有对应的完整代码，皆可运行，亲测可用，适合小白； 1、代码压缩包内容 主函数：main.m； 调用函数：其他m文件；无需运行 运行结果效果图； 2、代码运行版本 Matlab 2019b；若运行有误，根据提示修改；若不会，私信博主； 3、运行操作步骤 步骤一：将所有文件放到Matlab的当前文件夹中； 步骤二：双击打开main.m文件； 步骤三：点击运行，等程序运行完得到结果； 4、仿真咨询 如需其他服务，可私信博主； 4.1 博客或资源的完整代码提供 4.2 期刊或参考文献复现 4.3 Matlab程序定制 4.4 科研合作
TO252封装P沟道MOSFET - 50P04参数详解与应用
"50P04是一款P沟道TrenchFET功率MOSFET，具有低热阻封装，适用于需要高效散热的应用。其主要参数包括：-40V的额定漏源电压（VDS），在10V栅极电压下的导通电阻为10mΩ，在4.5V栅极电压下的导通电阻为13mΩ，最大栅源...
评论
添加红包

请填写红包祝福语或标题

个

红包个数最小为10个

元

红包金额最低5元

当前余额3.43元 前往充值 >
需支付：10.00元
成就一亿技术人!
领取后你会自动成为博主和红包主的粉丝 规则
hope_wisdom
发出的红包
实付元
使用余额支付
点击重新获取
扫码支付
钱包余额 0

抵扣说明：

1.余额是钱包充值的虚拟货币，按照1:1的比例进行支付金额的抵扣。
2.余额无法直接购买下载，可以购买VIP、付费专栏及课程。

余额充值