AP9575GM-VB一款SOP8封装 MOSFET参数应用解析

最新推荐文章于 2024-09-19 10:30:14 发布
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分类专栏： mosfet型号参数解析 文章标签： VBsemi MOS管 MOS mosfet AP9575GM
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本文链接：https://blog.csdn.net/VBsemi/article/details/133683431
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本文详细介绍了AP9575GM(VBA2658)的参数，包括P沟道特性(-60V/-6A,RDS(ON),50mΩ/61mΩ),门源电压范围和阈值电压，以及其在功率开关和稳压应用中的适用场景，如电源管理、逆变器和DC-DC变换器。
摘要由CSDN通过智能技术生成

AP9575GM（VBA2658）
参数描述：
P沟道,-60V,-6A,RDS(ON),50mΩ@10V,61mΩ@4.5V,20Vgs(±V)；-1.5Vth(V)；SOP8


型号参数介绍：
AP9575GM (VBA2658)参数说明：P沟道，-60V，-6A，导通电阻50mΩ@10V，61mΩ@4.5V，门源电压范围20V(±V)，阈值电压-1.5V，封装：SOP8。


应用简介：AP9575GM是一款用于功率开关和稳压应用的P沟道MOSFET。
常见于电源管理、逆变器和DC-DC变换器等领域模块。
 

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AP9971GM-VB一款SOP8封装2个N-Channel场效应MOS管
04-11
根据提供的文档信息，我们可以深入探讨这款名为AP9971GM-VB的SOP8封装双通道N-Channel场效应晶体管（MOSFET）的相关特性与应用。 ### 标题解读：“AP9971GM-VB一款SOP8封装2个N-Channel场效应MOS管” - **产品型号...
9573-VB一款P—Channel沟道SOT223的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明
VBsemi_MOSFET的博客
09-19 212
它采用 SOT223 封装，具有负向栅极电压（VGS）为 -60V、漏极电流（ID）为 -6.5A、导通电阻（RDS(ON)）为 58mΩ@VGS=10V、阈值电压（Vth）为 -1~-3V 等特性。1. 电源管理模块：由于其负向栅极电压和漏极电流的特性，9573-VB 可以用于电源管理模块中的开关电路，例如 DC-DC 变换器和电源开关，提供高效的功率转换和稳定的电源输出。- 电压参数：负向栅极电压（VGS）为 -60V。- 阈值电压：Vth 范围为 -1~-3V。- 封装：SOT223。
AP9971GM-VB一款SOP8封装2个N—Channel场效应MOS管
VBsemi_MOSFET的博客
04-11 259
在电机控制器中，AP9971GM-VB可用于各种类型的电机控制模块，如用于机器人的步进电机控制器，实现精确的运动控制。1. DC-DC转换器：可用于电源模块、开关电源等DC-DC变换器中，提供高效的电源转换和稳定的输出。- 在DC-DC转换器中，AP9971GM-VB可用于输出端的功率开关和调节电路，确保稳定的电源输出。- 开态电阻: RDS(ON)=27mΩ @ VGS=10V, 27mΩ @ VGS=20V。- 最大耐压: 60V。
9575-SOT223-3-VB一款P—Channel沟道SOT223的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明
VBsemi_MOSFET的博客
09-19 364
9575-SOT223-3-VB 是由品牌 VBsemi 生产的 P-Channel 沟道场效应晶体管。该器件采用 SOT223 封装，具有负向栅极电压（VGS）为 -60V、漏极电流（ID）为 -6.5A、导通电阻（RDS(ON)）为 58mΩ@VGS=10V、阈值电压（Vth）范围为 -1~-3V 等特性。1. 电源管理模块：9575-SOT223-3-VB 可用于电源管理模块中的开关电路，例如 DC-DC 变换器和电源开关，以提供高效的功率转换和稳定的电源输出。- 封装：SOT223-3。
AP9579GM-HF-VB一种P沟道SOP8封装MOS管
VBsemi的博客
12-15 73
1. **电源逆变器**：AP9579GM-HF-VB可用于电源逆变器模块，将负向电压转换为正向电压，适用于太阳能逆变器和电力系统。总之，AP9579GM-HF-VB适用于负向电压应用，包括电源逆变器、电源管理、电池充电和电源开关等领域。2. **电源管理**：在需要负向电压管理的应用中，它可以用于电源开关和电池保护，例如在实验室设备中。4. **电源开关**：在负向电压电源开关模块中使用，提供高效率的电源管理。3. **电池充电**：可用于负向电压电池充电电路，控制电池充电和放电。- 最大电流：-9A。
AP4528GM-VB一款SOP8封装N+P—Channel场效应MOS管
VBsemi_MOSFET的博客
04-10 167
AP4528GM-VB 是一款N+P-Channel沟道的功率MOSFET，具有高压、高电流和低开关电阻的特点，适用于各种功率控制和开关电路。4. 工业电源: 适用于高效率的开关电源、UPS（不间断电源系统）和太阳能逆变器等工业电源设备，以实现高效的能源转换和稳定的功率输出。2. 汽车电子: 在汽车电子领域，这种MOSFET可用于电动汽车充电桩、车载充电器和车辆电动系统，支持高电压和高电流的需求。1. 工业自动化: 该产品可用于工业电机驱动器、电源管理系统和工业自动化控制器，提供可靠的功率开关和电流控制。
【RU30L15H-VB】&【AP4435GM-VB】MOSFET参数对比及应用领域解析
VBsemi_MOS的博客
03-04 194
AP4435GM-VB: 适用于低电压、中功率场景，具有较低的导通电阻和适中的电流承受能力，适合一些中小功率的应用。- RU30L15H-VB: 具有较低的导通电阻和较高的电流承受能力，适用于中小功率场景，能够处理相对更大的功率。- RU30L15H-VB优势在于具有更低的导通电阻和较高的电流承受能力，适用于需要处理相对更大功率的应用。- AP4435GM-VB适用于中小功率场景，具有较低的导通电阻和适中的电流承受能力。- P沟道, -30V, -11A。- P沟道, -30V, -7A。
AP4435GM-VB一种P沟道SOP8封装MOS管
VBsemi的博客
12-18 466
总之，AP4435GM-VB适用于需要负电压承受和开关控制的应用，如电源管理、电机控制、LED照明、电池保护和电子开关等领域的模块。AP4435GM-VB是理想的电子开关，可用于各种电子开关应用，如电子锁、继电器、开关电路和电子控制器，以控制电路的通断状态。AP4435GM-VB的负电压承受能力和低导通电阻使其成为电源管理模块的理想选择，特别适用于负电压开关和反向电源保护。该晶体管可用于电池管理和保护模块，用于控制电池充电和放电的开关，确保电池的安全和延长寿命。**详细参数说明：**
AP4575GM-VB一款N+P沟道SOP8封装MOSFET应用分析
VBsemi_MOS的博客
11-16 180
2. **电机控制**: 在电机控制领域，这款MOSFET可用于驱动电机、逆变器和电机控制模块。5. **工业自动化**: 在工业自动化和控制系统中，AP4575GM-VB可用于开关控制、电流调节和电源分配。3. **照明**: 在LED照明应用中，AP4575GM-VB可用于调光控制、开关电源和电源逆变器。6. **通信设备**: 通信领域中，这款MOSFET可用于电源模块、射频功率放大器和其他通信设备，提供高效的电源转换和信号放大。- 閾值电压 (Vth): ±1.9V。**详细参数说明:**
AP6679GM-VB一种P沟道SOP8封装MOS管
VBsemi_MOS的博客
12-20 351
总之，AP6679GM-VB MOSFET适用于需要P沟道MOSFET的负电压电源开关和负电压电路中的应用。2. DC-DC转换器：它可以用于直流到直流（DC-DC）转换器中，将电压降低或升高，以适应特定电子设备的需求。1. 电源开关：P沟道MOSFET通常用于负电压电源开关，可以用于反向电源保护，例如电池电源开关和电源逆变器。3. 负电压电路：适用于负电压电路中，如负电压电源管理、电压反转器和负电压逆变器。5. 负电压电源控制：适用于负电压电源控制，如负电压直流电源控制、电源切断等。
AP4437GM-HF-VB一款SOP8封装P—Channel场效应MOS管
VBsemi_MOSFET的博客
04-10 283
1. **电动汽车充电桩：** AP4437GM-HF-VB可用于电动汽车充电桩中，提供可靠的功率开关控制，确保充电过程高效且稳定。2. **太阳能逆变器：** 在太阳能逆变器模块中，该器件能够实现电源的高效开关，提高太阳能发电系统的效率。3. **工业电源模块：** 适用于工业电源模块中的功率开关，确保工业设备的可靠供电。**产品型号：** AP4437GM-HF-VB。**丝印：** VBA2311。**品牌：** VBsemi。**封装：** SOP8。**详细参数说明：**
AP4528GM-VB一款SOP8封装N+P-Channel场效应MOS管
04-10
SOP8；N+P—Channel沟道,±60V；6.5/-5A；RDS(ON)=28/51mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=±1.9V；
AP4578GM-VB一款N+P-Channel沟道SOP8的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明
04-10
AP4578GM-VB采用SO-8封装,包含一个N-Channel和一个P-Channel MOSFET,分别具有以下关键参数: - **N-Channel MOSFET**: - 额定电压(VDS): 60V - 导通电阻(RDS(ON)): 28mΩ (VGS=10V), 51mΩ (VGS=20V) - 连续工作...
AP4437GM-VB一款P-Channel沟道SOP8的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明
04-10
### AP4437GM-VB — P-Channel沟道SOP8的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明 #### 概述 本文档旨在详细介绍AP4437GM-VB这款P-Channel沟道SOP8封装的MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）的技术规格及其应用场景。...
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