NTD5867NLT4G-VB一款TO252封装 MOSFET参数应用解析

NTD5867NLT4G （VBE1638）
参数描述：
N沟道,60V,45A,RDS(ON),24mΩ@10V,28mΩ@4.5V,20Vgs(±V)；1.8Vth(V)；TO252

型号参数介绍：
NTD5867NLT4G (VBE1638)参数说明：N沟道，60V，45A，导通电阻24mΩ@10V，28mΩ@4.5V，门源电压范围20V(±V)，阈值电压1.8V，封装：TO252

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应用简介：NTD5867NLT4G适用于高功率N沟道MOSFET，常见于电源开关、电机控制和逆变器等领域模块。

其高电流承载能力使其在大电流需求场景中表现出色。
适用领域与模块：适用于高功率应用，如电源开关、电机控制和逆变器等模块。
高电流承载能力满足大电流需求。