NTR4502PT1G-VB一款SOT23封装 MOSFET参数应用解析

本文详细介绍了NTR4502PT1G(VB2355)P沟道MOSFET的参数特性,包括-30V耐压、-5.6A电流、47mΩ至56mΩ的导通电阻,以及-1V的阈值电压。它适用于低功耗的电源开关、稳压和逆变器应用。
摘要由CSDN通过智能技术生成

NTR4502PT1G (VB2355)
参数描述:
P沟道,-30V,-5.6A,RDS(ON),47mΩ@10V,56mΩ@4.5V,20Vgs(±V);-1Vth(V);SOT23


型号参数介绍:
NTR4502PT1G (VB2355)参数说明:P沟道,-30V,-5.6A,导通电阻47mΩ@10V,56mΩ@4.5V,门源电压范围20V(±V),阈值电压-1V,封装:SOT23。


应用简介:NTR4502PT1G适用于功率开关和稳压应用的P沟道MOSFET。
其低导通电阻有助于降低功率损耗,提高效率。
适用领域与模块:适用于电源开关、稳压和逆变器等领域模块,特别适合要求低功率损耗的场景。
 

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