SI2302DS-T1-GE3-VB一款SOT23封装 MOSFET参数应用解析

最新推荐文章于 2024-09-09 17:59:13 发布
最新推荐文章于 2024-09-09 17:59:13 发布
阅读量197 收藏
点赞数
分类专栏： mosfet型号参数解析 文章标签： MOS管 VBsemi mosfet MOS SI2302DS-T1-GE3
版权声明：本文为博主原创文章，遵循 CC 4.0 BY-SA 版权协议，转载请附上原文出处链接和本声明。
本文链接：https://blog.csdn.net/VBsemi/article/details/133806556
版权
本文详细介绍了SI2302DS-T1-GE3(VB1240)这款MOSFET的参数，包括20V耐压、6A电流、低导通电阻和可调阈值电压特性。它适用于低电压降和需要灵活性的场景，如电池管理、便携设备和LED驱动等。

摘要生成于 C知道 ，由 DeepSeek-R1 满血版支持， 前往体验 >

SI2302DS-T1-GE3 （VB1240）
参数描述：
N沟道,20V,6A,RDS(ON),24mΩ@4.5V,33mΩ@2.5V,8Vgs(±V)；0.45~1Vth(V)；SOT23


型号参数介绍：
SI2302DS-T1-GE3 (VB1240)参数说明：N沟道，20V，6A，导通电阻24mΩ@4.5V，33mΩ@2.5V，门源电压范围8V(±V)，可调阈值电压范围0.45~1V，封装：SOT23。


应用简介：SI2302DS-T1-GE3是一款中低电压N沟道MOSFET，适用于电源开关、电机控制和稳压等应用。
其低导通电阻和可调的阈值电压使其在多种场景中具备灵活性。


优势与适用领域：具有低导通电阻和可调的阈值电压，适用于要求低电压降和灵活性的领域，如电池管理、便携式设备和LED驱动等模块。

Si2342DS-T1-GE3-VB一款SOT23封装 MOSFET参数应用解析
10-13
Si2342DS-T1-GE3是一款由VBsemi公司生产的N沟道TrenchFET功率MOSFET，采用小型SOT23封装，适用于DC/DC转换器和便携式应用中的负载开关。这款MOSFET在设计上符合RoHS指令，不含有卤素，确保了其环保特性。 在关键...
SI2302CDS-T1-GE3-VB一款SOT23封装 MOSFET参数应用解析
VBsemi的博客
10-13 461
SI2302CDS-T1-GE3 (VB1240)参数说明：N沟道，20V，6A，导通电阻24mΩ@4.5V，33mΩ@2.5V，门源电压范围8V(±V)，可调阈值电压范围0.45~1V，封装：SOT23。N沟道,20V,6A,RDS(ON),24mΩ@4.5V,33mΩ@2.5V,8Vgs(±V)；优势与适用领域：具有低导通电阻和可调的阈值电压，适用于要求低电压降和灵活性的领域，如电池管理、便携式设备和LED驱动等模块。应用简介：SI2302CDS-T1-GE3适用于电源开关、电机控制和稳压等应用。
MOS管学习
wuli_Thames的博客
04-18 1093
1.MOS管与三极管的区别 （1）从外观 MOS管 三极管 （2）本质 MOS管属于电压控制；三极管属于电流控制。 （3）成本 MOS管成本高。 （4）功耗 三级管功耗高。 2.MOS管开关电路 此处总结的栅极为低电压的开关电路（以栅极电压1.2V，SI...
3.3V和5V双向电平转换电路
热门推荐
xp2108的博客
05-08 1万+
电平转换电路
xcDeserializer2.0的拨码说明
zuojisi的博客
09-09 298
xcDeserializer2.0 共有 2 个拨码开关，SW1 和 SW2 总计 8 路 ON/OFF 开关，如图所示： 相关电路原理图如下： 参照 MAX9296 数据手册的 CFG0/CFG1 的说明进行设置，摘录如下： 配置 1（推荐）：1=ON, 2=OFF, 3=OFF, 4=ON 功能：解串板常 Power ON 配置 2：1=OFF, 2=ON, 3=OFF, 4=ON 功能：解串板由来自于120pin相机接口的“CAM_0_PWDN”和“CAM_1_PWDN”控制，分别控制2片max96
SI2302低压MOS管- 场效应管SI2302低压管
qq5132834的专栏
02-23 5797
MOSFET/场效应管 SI2302 产品型号：SI2302 产品封装：SOT-23 产品品牌：浩畅 是否环保：无铅环保 最小包装：3000PCS N沟道增强型功率MOSFET 漏极-源极电压（VDS）:20V 漏极电流（ID）:4A 栅源电压（VGS）: ±12V 结温（TJ）:150℃ 储存温度（TSTG）:
SI2300DS-T1-GE3-VB一款SOT23封装 MOSFET参数应用解析
VBsemi的博客
10-12 390
SI2300DS-T1-GE3 参数：N沟道, 20V, 6A, RDS(ON) 24mΩ@4.5V, 33mΩ@2.5V, 8Vgs(±V), 0.45~1Vth(V), SOT23。N沟道,20V,6A,RDS(ON),24mΩ@4.5V,33mΩ@2.5V,8Vgs(±V)；适用模块：SI2300DS-T1-GE3适用于移动设备和低电压应用的控制模块，如手机、平板电脑等。优势：适用于低电压逻辑驱动：低阈值电压特性适合低电压逻辑控制。适用于移动设备：适用于移动设备、低电压应用等领域。
Si2399DS-T1-GE3-VB一款SOT23封装 MOSFET参数应用解析
VBsemi的博客
10-13 72
Si2399DS-T1-GE3 参数： P沟道, -20V, -4A, RDS(ON), 57mΩ@4.5V, 83mΩ@2.5V, 12Vgs(±V);P沟道,-20V,-4A,RDS(ON),57mΩ@4.5V,83mΩ@2.5V,12Vgs(±V)；优势： Si2399DS-T1-GE3的主要优势包括：低导通电阻： 具有低的导通电阻，减少了功率损耗和热量产生。该型号的低导通电阻有助于减少转换损耗，提高充电效率，同时SOT23封装适合手机模块的小型设计要求。
SI2301DS-T1-GE3-VB一款SOT23封装 MOSFET参数应用解析
10-12
**SI2301DS-T1-GE3是一款由VBsemi生产的P沟道金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET），采用SOT23封装。** **主要参数及特性：** 1. **额定电压（Drain-Source Voltage, VDS）**：-20V，意味着在源极和漏极之间可以...
完整的污水处理项目：WinCC 7.0带西门子300程序及中文注释的工艺流程
05-02
内容概要：本文详细介绍了一个完整的污水处理自动化控制系统，该系统基于WinCC 7.0和西门子S7-300 PLC构建。文中涵盖了从数据采集、处理到报表生成的全过程，尤其强调了详细的中文注释和实用的技术细节。具体包括：PLC程序中的液位值滤波、WinCC画面中的阀门开度设置校验、报表模块的时间戳命名技巧以及报警记录的画面分层显示等。此外，还介绍了工艺流程图的动态效果、PID控制参数整定、数据归档处理等多个方面的技术和实践经验。 适用人群：从事自动化控制领域的工程师和技术人员，尤其是熟悉WinCC和西门子PLC的从业者。 使用场景及目标：适用于污水处理厂或其他类似工业环境的自动化控制系统设计与维护。主要目标是提高系统的可靠性和可维护性，确保操作的安全性和高效性。 其他说明：本文不仅提供了具体的代码实现和配置方法，还分享了许多宝贵的实战经验和注意事项，如防止误操作的设计、优化系统性能的方法等。这些内容对于理解和掌握工业自动化控制系统的实际应用非常有帮助。
2025年中央电大计算机专业毕业论文.doc
05-02
2025年中央电大计算机专业毕业论文.doc
COMSOL空气流注放电模型——集成针-针电极及Helmholtz光电离过程等离子体模拟新范式
最新发布
05-02
内容概要：本文详细介绍了如何利用COMSOL的等离子体模块构建针-针电极间的空气流注放电模型。主要内容涵盖了几何结构的定义、物理场配置（如电子、正负离子的载流子选择）、化学反应的设定（包括21组带电粒子反应）以及Helmholtz光电离过程的具体实现方法。文中还提供了多个代码片段用于解释各个步骤的操作方式，并强调了求解器配置和边界条件处理的关键点。此外，作者分享了一些实用的小技巧，如初始步长设置、网格细化等，以确保模型能够稳定收敛并得到合理的仿真结果。 适合人群：从事等离子体物理研究的专业人士，特别是那些对高压放电现象感兴趣的科研工作者和技术人员。 使用场景及目标：适用于希望深入了解和模拟针-针电极间空气流注放电行为的研究项目。通过该模型可以更好地理解电场分布、粒子密度变化等微观物理过程，从而为实际工程应用提供理论支持。 阅读建议：由于涉及较多的技术细节和数学公式，建议读者具备一定的电磁学、流体力学基础知识，并且最好有一定的COMSOL软件使用经验。同时，在实践中可以根据自己的研究方向调整模型参数进行探索。
组态王仿真学习案例：石灰石断烧系统详解，实时历史曲线记录、报表分析与报警管理一网打尽，入门到进阶全功能展示
05-02
内容概要：本文详细介绍了利用组态王进行石灰石煅烧系统的仿真开发，涵盖实时曲线绘制、报警系统配置、报表生成功能等多个方面。文章从实际案例出发，通过具体的代码片段和操作步骤，讲解了如何实现温度PID控制、设备联锁、能源统计等功能。同时，作者分享了许多实践经验，如解决曲线不刷新问题、优化报警逻辑、提高报表生成效率等，帮助读者快速掌握组态王的核心技术和应用场景。 适合人群：对工业自动化感兴趣的初学者以及希望深入了解组态王使用的工程师。 使用场景及目标：适用于需要构建工业控制系统仿真模型的学习者或开发者，旨在通过实例演练提升对组态王的理解和运用能力，最终能够独立完成类似项目的开发。 其他说明：文中提供了丰富的代码示例和技术细节，有助于读者更好地理解和实践。此外，还特别强调了一些常见的错误和注意事项，如控件命名规范、数据源绑定规则等，确保项目顺利实施。
2025年电大《计算机》统考操作题流程.doc
05-02
2025年电大《计算机》统考操作题流程.doc
中国人口省际迁移流动分量辨识数据集 (2010-2020)
05-02
作者以中国省际迁移流动人口为研究对象，基于人口普查、就业统计数据，构建辨识省际人口迁移流动分量模型，计算出了中国分省人口增长的全要素平衡表，分析了人口增长的要素组合类型及其区域分布特征，得到中国人口省际迁移流动分量辨识数据集（2010-2020）。数据集内容包括：（1）2010-2020 年中国分省份人口增长全要素平衡表数据；（2）2010-2020 年中国分省份人口流入率与流出率的对数数据。该数据集存储为.xlsx格式，1个数据文件，数据量为16.2 KB。基于该数据集的分析研究成果拟发表在《地理学报》2024年79卷第8期。丁金宏, 常亮, 陈益豪等. 人口流动分析范式及中国人口省际迁移流动分量辨识[J]. 地理学报, 2024, 79(8): 1883-1897.
SI2301DS-T1-GE3-VB SOT23封装MOSFET: 参数解析与应用指南
SI2301DS-T1-GE3-VB是一款高性能的P沟道、20V耐压的SOT23封装MOSFET，由VBSEMI公司生产。这款器件专为低阻值和高电流应用设计，具有优良的开关特性。 该MOSFET的主要参数如下： 1. 电压参数: - 漏源电压（VDS）: ...
评论
添加红包

请填写红包祝福语或标题

个

红包个数最小为10个

元

红包金额最低5元

当前余额3.43元 前往充值 >
需支付：10.00元
成就一亿技术人!
领取后你会自动成为博主和红包主的粉丝 规则
hope_wisdom
发出的红包
实付元
使用余额支付
点击重新获取
扫码支付
钱包余额 0

抵扣说明：

1.余额是钱包充值的虚拟货币，按照1:1的比例进行支付金额的抵扣。
2.余额无法直接购买下载，可以购买VIP、付费专栏及课程。

余额充值