型号:AP4563GH丝印:VBE5415品牌:VBsemi详细参数说明:- 类型:N+P沟道MOSFET- 最大耐压:±40V- 最大电流:50A/-50A- 导通电阻:15mΩ @10V, 18.75mΩ @4.5V- 门源电压:20Vgs (±V)- 门阈电压:±1Vth- 封装:TO252-5
应用简介:AP4563GH是一款N+P沟道MOSFET,适用于需要同时控制N沟道和P沟道MOSFET的应用。其最大耐压为±40V,最大电流为50A/-50A,具有低导通电阻和高性能。该器件适用于多个领域的模块设计,主要包括:1. 电源管理模块:适用于负责电流控制和功率开关的电源管理模块。2. 电机驱动模块:可用于驱动大功率电机,如电动汽车和工业机械中的驱动电路。3. 逆变器模块:适用于太阳能逆变器和UPS系统等高功率逆变器。总之,AP4563GH适用于需要同时控制N沟道和P沟道MOSFET的高功率应用领域的模块设计,包括电源管理、电机驱动和逆变器模块等。