IRF5803TRPBF-VB_MOSFET产品应用与参数解析

微碧VBsemi

于 2023-10-25 11:52:47 发布

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分类专栏： mosfet型号参数解析文章标签： MOS管 mosfet MOS vbsemi

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IRF5803TRPBF是一款P沟道MOSFET，专为电源管理和功率放大器设计，支持负电压应用。其特点是低导通电阻、宽工作电压范围和SOT23-6封装。主要应用于电源开关、电机驱动器等需要可靠负电压控制的领域。

摘要由CSDN通过智能技术生成

IRF5803TRPBF详细参数说明：- 极性：P沟道- 额定电压：-30V- 额定电流：-4.8A- 导通电阻：49mΩ @ 10V, 54mΩ @ 4.5V- 门源电压：20Vgs (±V)- 阈值电压：-1~-3Vth (V)- 封装类型：SOT23-6

应用简介：IRF5803TRPBF是一款P沟道MOSFET，适用于各种电源管理和功率放大器应用。它具有负的额定电压和额定电流特性，能够提供可靠且高效的电流开关功能。通过控制20Vgs (±V)的门源电压，可以实现开关管的导通和截止，实现电流的控制和开关状态的转换。其较低的导通电阻可以降低功耗，并提高系统的效率。IRF5803TRPBF采用SOT23-6封装，适用于各种电路板和模块中使用。该器件广泛应用于电源开关、电源逆变器、电机驱动器等领域。具有负的额定电压和额定电流特性，IRF5803TRPBF特别适用于需要控制和开关负电压的电路应用。在这些领域中，它能够提供可靠的功率开关控制和负电压的电流传输。总之，IRF5803TRPBF是一款P沟道MOSFET，适用于电源管理和功率放大器等应用模块中，特别适用于需要控制和开关负电压的领域，如电源开关、电机驱动器等。