HM25P04K-VB一种P—Channel沟道TO252封装MOS管

产品简介：HM25P04K-VB是VBsemi生产的一款P-Channel沟道场效应管。该器件具有-40V的漏极-源极电压承受能力和-65A的漏极电流能力。其导通电阻RDS(ON)在VGS=10V时为10mΩ。该器件适用于中高压功率控制和开关应用，具有低导通电阻和高电流能力。

详细参数说明：
- 品牌：VBsemi
- 型号：HM25P04K-VB
- 沟道类型：P-Channel
- 最大漏极-源极电压（VDS）：-40V
- 最大漏极电流（ID）：-65A
- 导通电阻RDS(ON)：10mΩ @ VGS=10V
- 阈值电压Vth：-1.6V
- 封装：TO252

适用领域和模块示例：
1. 电源开关：HM25P04K-VB可用于电源开关模块，控制电源的开启和关闭，实现功率管理和保护功能。
2. 电动车电力控制：在电动车的电力控制系统中，该器件可以用作电机驱动器的开关，实现电机的控制和调节。
3. 工业自动化：在工业控制系统中，HM25P04K-VB可用于控制各种设备和机器，提高系统的响应速度和效率。
4. 电池管理系统：用于充放电控制和保护，确保电池的安全性和可靠性。