P06B03LVG-VB_MOSFET产品应用与参数解析

最新推荐文章于 2024-07-12 11:52:39 发布
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分类专栏： mosfet型号参数解析 文章标签： MOS管 VBsemi MOS mosfet P06B03LVG
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P06B03LVG详细参数说明 - 极性 2个P沟道- 额定电压 -30V- 额定电流 -7A- 导通电阻 35mΩ @ 10V, 48mΩ @ 4.5V- 门源电压 20Vgs (±V)- 阈值电压 -1.5Vth (V)- 封装类型 SOP8

应用简介 P06B03LVG是一款2个P沟道MOSFET，适用于各种电源管理和功率放大器应用。具有负的额定电压和额定电流特性，能够提供可靠且高效的电流开关功能。通过控制20Vgs (±V)的门源电压，可以实现开关管的导通和截止，实现电流的控制和开关状态的转换。其较低的导通电阻可以降低功耗并提高系统效率。P06B03LVG采用SOP8封装，适用于各种电路板和模块中使用。该器件广泛应用于电源开关、电源逆变器、电机驱动器等领域。具有负的额定电压和额定电流特性，P06B03LVG特别适用于需要控制和开关负电压的电路应用。在这些领域中，它能够提供可靠的功率开关控制和负电压的电流传输。总之，P06B03LVG是一款2个P沟道MOSFET，适用于电源管理和功率放大器等应用模块中，特别适用于需要控制和开关负电压的领域，如电源开关、电机驱动器等领域。

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P06B03LVG-VB-MOSFET产品应用与参数解析
11-02
2个P沟道,-30V,-7A,RDS(ON),35mΩ@10V,48mΩ@4.5V,20Vgs(±V)；-1.5Vth(V)；SOP8
SUD08P06-155L-E3-VB-MOSFET产品应用与参数解析
11-15
SUD08P06-155L-E3是一款P沟道金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET），由VB Semiconductor制造。这款器件设计用于高压、中等电流的应用，具有低电阻和良好的热性能。以下是对这款MOSFET的关键参数和特性的详细解释...
SQD50P06-15L-GE3-VB_MOSFET产品应用与参数解析
VBsemi的博客
10-30 369
其最大耐压为-60V，最大电流为-50A，具有低导通电阻和高性能。总之，SQD50P06-15L-GE3适用于负极电压控制和负载开关等高功率应用领域的模块设计，包括电源管理、高效功率开关模块和电动工具等。型号 SQD50P06-15L-GE3丝印 VBE2625品牌 VBsemi详细参数说明 - 类型 P沟道MOSFET- 最大耐压 -60V- 最大电流 -50A- 导通电阻 20mΩ @10V, 25mΩ @4.5V- 门源电压 20Vgs (±V)- 门阈电压 -1.76Vth- 封装 TO252。
SUD08P06-155L-E3-VB_MOSFET产品应用与参数解析
VBsemi的博客
11-15 42
这款VBsemi品牌的SUD08P06-155L-E3-VB是一款P沟道功率场效应晶体管。总之，SUD08P06-155L-E3-VB适用于需要高功率、低导通电阻和较高电压电流的应用领域，如电子电源、电动工具、能源管理系统等。- 导通电阻：61mΩ（在10V下） 72mΩ（在4.5V下）型号：SUD08P06-155L-E3-VB。- 门源极电压：20V（正负）- 阈值电压：-1.3V。- 封装类型：TO252。丝印：VBE2610N。- 额定电压：-60V。- 额定电流：-38A。- 沟道类型：P沟道。
SUD50P06-15L-GE3-VB_MOSFET产品应用与参数解析
VBsemi的博客
10-26 106
这款MOSFET可以广泛应用于以下领域的模块：- 电源管理模块：用于负极电源开关、DC-DC变换器、逆变器等高功率电源模块。型号: SUD50P06-15L-GE3丝印: VBE2625品牌: VBsemi参数说明:- MOSFET类型: P沟道- 额定电压(VDS): -60V - 额定电流(ID): -50A - 开通电阻(RDS(ON)): 20mΩ@10V, 25mΩ@4.5V - 阈值电压(Vth): -1.76V - 封装类型: TO252。
STM4639-VB_MOSFET产品应用与参数解析
VBsemi的博客
10-30 222
其最大耐压为-60V，最大电流为-50A，具有低导通电阻和高性能。总之，SQD50P06-15L-GE3适用于负极电压控制和负载开关等高功率应用领域的模块设计，包括电源管理、高效功率开关模块和电动工具等。型号 SQD50P06-15L-GE3丝印 VBE2625品牌 VBsemi详细参数说明 - 类型 P沟道MOSFET- 最大耐压 -60V- 最大电流 -50A- 导通电阻 20mΩ @10V, 25mΩ @4.5V- 门源电压 20Vgs (±V)- 门阈电压 -1.76Vth- 封装 TO252。
NTD20P06LT4G-VB_MOSFET产品应用与参数解析
VBsemi的博客
10-27 51
主要参数包括额定电压为-60V，额定电流为-38A，RDS(ON)为61mΩ @ 10V，72mΩ @ 4.5V，门源电压范围为±20V，门源阈值电压为-1.3V，封装类型为TO252。型号：NTD20P06LT4G丝印：VBE2610N品牌：VBsemi参数：- 频道类型：P沟道- 额定电压：-60V- 额定电流：-38A- RDS(ON)：61mΩ @ 10V，72mΩ @ 4.5V- 门源电压范围：±20V- 门源阈值电压：-1.3V- 封装类型：TO252。
DTU40P06-VB一款TO252封装 MOSFET参数应用解析
VBsemi的博客
10-09 154
DTU40P06 (VBE2658)参数说明：P沟道，-60V，-22A，导通电阻48mΩ@10V，57mΩ@4.5V，20Vgs(±V)，阈值电压-1.5V，封装：TO252。P沟道,-60V,-22A,RDS(ON),48mΩ@10V,57mΩ@4.5V,20Vgs(±V)；适用领域与模块：适用于电源开关、逆变器和功率放大器等领域模块，特别适合高功率要求的场景。应用简介：DTU40P06适用于功率开关和逆变器等应用的P沟道MOSFET。其高电流承载能力和低导通电阻有助于提高效率和降低功率损耗。
SUD50P06-15-GE3_TO252封装MOSFET参数应用
VBsemi的博客
09-26 71
此外，其门源电压范围为-20V至+20V，阈值电压（Vth）为-1.76V。此外，该MOS管还适用于电机驱动模块，用于控制电机的启停、速度和方向，提高运动控制系统的效率和性能。在工业自动化领域，该MOS管可用于各种控制电路，如开关和驱动电路，实现设备的精确控制和操作。此外，它还可以应用于照明系统，用于调节LED灯珠的亮度和色温，创造不同的照明效果。总之，SUD50P06-15-GE3 MOS管在电源管理、电机驱动、工业自动化和照明系统等多个领域都具有重要作用，为各种电路提供可靠的性能和稳定的工作条件。
UT3N06G-AE3-R-VB一款SOT23封装 MOSFET参数应用解析
VBsemi的博客
10-14 96
UT3N06G-AE3-R (VB1695)参数说明：N沟道，60V，4A，导通电阻85mΩ@10V，96mΩ@4.5V，门源电压范围20V(±V)，阈值电压1~3V，封装：SOT23。N沟道,60V,4A,RDS(ON),85mΩ@10V,96mΩ@4.5V,20Vgs(±V)；适用领域与模块：适用于电源开关、电机驱动和LED驱动等领域模块，特别适合中等功率要求的场景。应用简介：UT3N06G-AE3-R适用于功率开关和电机驱动等应用的N沟道MOSFET。其中等功率特性使其在多种中低功率应用中表现良好。
08P06P-VB一款P-Channel沟道TO252的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明
VBsemi_MOS的博客
07-12 114
1. **功率开关：** 08P06P-VB 的高漏极-源极电压和低导通电阻使其非常适合用于功率开关模块，如开关电源和逆变器。4. **DC-DC 变换器：** 可用于高效能的 DC-DC 变换器，以实现能量转换和电压调节。- **栅极-源极电压（VGS）：** 20V（±）- **漏极-源极电压（VDS）：** -60V。- **阈值电压（Vth）：** -1.7V。- **漏极电流（ID）：** -30A。- **封装：** TO252。- **工艺：** 沟槽工艺。
SUD50P06-15L-GE3-VB-MOSFET产品应用与参数解析
10-26
P沟道,-60V,-50A,RDS(ON),20mΩ@10V,25mΩ@4.5V,20Vgs(±V)；-1.76Vth(V)；TO252
SQD50P06-15L-GE3-VB-MOSFET产品应用与参数解析
10-30
P沟道,-60V,-50A,RDS(ON),20mΩ@10V,25mΩ@4.5V,20Vgs(±V)；-1.76Vth(V)；TO252
7.15 陇东学院云计算1班 马陆辉 20240715
07-15
练习题
090N03LS-VB QFN8(5X6）一款N-Channel沟道DFN8(5X6)的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明
07-15
090N03LS-VB QFN8(5X6）；Package：DFN8(5X6)；Configuration：Single-N-Channel；VDS：30V；VGS：20（±V）；Vth：1.7V；RDS(ON)=9mΩ@VGS=4.5V；RDS(ON)=7mΩ@VGS=10V；ID：80A；Technology：Trench；
Hadoop和Spark多节点集群搭建：从入门到进阶0基础！！易懂！！
最新发布
07-15
详细介绍了如何从入门到进阶搭建和管理Hadoop和Spark的多节点集群。首先，文章解释了多节点集群的概念和优势，然后提供了硬件和软件环境的准备步骤，包括Java和SSH配置。接着，文章分步骤指导如何下载、安装和配置Hadoop和Spark，涵盖环境变量设置、配置文件编辑和集群启动等关键步骤。还包括如何监控和优化集群资源使用，并解决常见问题，如节点通信问题和任务失败。最后，文章提供了进一步学习和扩展的建议，帮助读者深入掌握大数据处理技术。希望通过这份指南，初学者能成功搭建高效的Hadoop和Spark集群，提升数据处理能力。Hadoop和Spark多节点集群搭建Hadoop和Spark多节点集群搭建Hadoop和Spark多节点集群搭建Hadoop和Spark多节点集群搭建Hadoop和Spark多节点集群搭建Hadoop和Spark多节点集群搭建Hadoop和Spark多节点集群搭建Hadoop和Spark多节点集群搭建Hadoop和Spark多节点集群搭建Hadoop和Spark多节点集群搭建Hadoop和Spark多节点集群搭建Hadoop和Spark多节点集群搭建Hadoop和
Spring Cloud Azure使用详解.pdf
07-15
Spring Cloud Azure使用详解
void AD_nit() { adc_init(ADC_PC0,ADC_SYSclk_DIV_10); adc_init(ADC_P01,ADC_SYSclk_DIV_10); adc_init(ADC_P05,ADC_SYSclk_DIV_10); adc_init(ADC_P06,ADC_SYSclk_DIV_10); adc_init(ADC_P10,ADC_SYSclk_DIV_10);初始化5路电感，将其移植到以gd32f303RCT6为开发板的单片机上，通道号为ADC0, ADC_CH_10，ADC0, ADC_CH_11，ADC0, ADC_CH_12，ADC0, ADC_CH_13，ADC0, ADC_CH_15，
07-16
在将您提供的代码移植到以 gd32f303RCT6 为开发板的单片机上时，您需要进行以下更改： 1. 引脚配置：根据您的需求，将电感连接到正确的引脚上。请参考 gd32f303RCT6 的芯片手册或开发板的原理图，找到相应的引脚和功能。 2. ADC 初始化：在使用 ADC 之前，需要对 ADC 进行初始化。您可以使用 gd32f303 库函数提供的函数进行初始化配置。以下是一个示例代码片段： ```c void AD_init() { rcu_periph_clock_enable(RCU_ADC0); // 使能 ADC0 时钟 adc_deinit(ADC0); // 复位 ADC0 adc_mode_config(ADC_MODE_FREE); // 设置 ADC 工作模式为自由模式 adc_data_alignment_config(ADC0, ADC_DATAALIGN_RIGHT); // 设置数据对齐方式为右对齐 adc_channel_length_config(ADC0, ADC_REGULAR_CHANNEL, 1); // 设置常规转换通道数量为1 adc_regular_channel_config(ADC0, ADC_CHANNEL_10, ADC_SAMPLETIME_239POINT5); // 配置 ADC_CH_10 通道，采样时间为239.5个时钟周期 adc_regular_channel_config(ADC0, ADC_CHANNEL_11, ADC_SAMPLETIME_239POINT5); // 配置 ADC_CH_11 通道，采样时间为239.5个时钟周期 adc_regular_channel_config(ADC0, ADC_CHANNEL_12, ADC_SAMPLETIME_239POINT5); // 配置 ADC_CH_12 通道，采样时间为239.5个时钟周期 adc_regular_channel_config(ADC0, ADC_CHANNEL_13, ADC_SAMPLETIME_239POINT5); // 配置 ADC_CH_13 通道，采样时间为239.5个时钟周期 adc_regular_channel_config(ADC0, ADC_CHANNEL_15, ADC_SAMPLETIME_239POINT5); // 配置 ADC_CH_15 通道，采样时间为239.5个时钟周期 adc_special_function_config(ADC0, ADC_SCAN_MODE, ENABLE); // 启用扫描模式 adc_external_trigger_source_config(ADC0, ADC_REGULAR_CHANNEL, ADC0_1_EXTTRIG_REGULAR_NONE); // 禁用外部触发源 adc_enable(ADC0); // 使能 ADC0 adc_calibration_enable(ADC0); // ADC0 校准 } ``` 请注意，这只是一个示例代码片段，您可能需要根据您的实际需求进行适当的调整和配置。 3. 进行 ADC 转换：根据您的代码，使用 `adc_init` 函数进行一次性的 ADC 转换。以下是一个示例代码片段： ```c void AD_convert() { uint16_t ad_valu[7]; // 声明一个数组以存储转换结果 ad_valu[0] = adc_regular_data_read(ADC0, ADC_CHANNEL_10); // 读取 ADC_CH_10 转换结果 ad_valu[1] = adc_regular_data_read(ADC0, ADC_CHANNEL_11); // 读取 ADC_CH_11 转换结果 ad_valu[2] = adc_regular_data_read(ADC0, ADC_CHANNEL_12); // 读取 ADC_CH_12 转换结果 ad_valu[3] = adc_regular_data_read(ADC0, ADC_CHANNEL_13); // 读取 ADC_CH_13 转换结果 ad_valu[4] = adc_regular_data_read(ADC0, ADC_CHANNEL_15); // 读取 ADC_CH_15 转换结果 // 将转换结果存储在适当的位置 } ``` 请注意，`adc_init` 函数在 gd32f303RCT6 中可能不可用，您可以使用 `adc_regular_data_read` 函数来读取 ADC 转换结果。 以上是一个基本的移植步骤示例，具体的移植过程可能因您的开发环境和库函数版本而有所不同。建议参考 gd32f303RCT6 的相关文档和示例代码，以获得更详细和准确的移植指导。

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