SI2323DS-T1-GE3-VB_MOSFET产品应用与参数解析

于 2023-11-10 17:04:40 发布
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分类专栏： mosfet型号参数解析 文章标签： VBsemi mosfet MOS管 vbsemi SI2323DS-T1-GE3
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型号 SI2323DS-T1-GE3丝印 VB2355品牌 VBsemi详细参数说明 - 类型 P沟道MOSFET- 最大耐压 -30V- 最大电流 -5.6A- 导通电阻 47mΩ @10V, 56mΩ @4.5V- 门源电压 20Vgs (±V)- 门阈电压 -1Vth- 封装 SOT23

应用简介 SI2323DS-T1-GE3 是一款 P 沟道 MOSFET，适用于负电压控制和负载开关的应用。其最大耐压为-30V，最大电流为-5.6A，具有低导通电阻和高性能。该器件适用于多个领域的模块设计，主要包括 1. 电源管理模块 适用于负责电源开关和负载开关控制的电源管理模块。2. 转换器模块 可用于负责负电压转换和逆变的转换器模块。3. 便携式设备 适用于便携式电子设备中的负载开关和电源控制。总之，SI2323DS-T1-GE3 适用于负电压控制和负载开关的应用领域的模块设计，主要用于电源管理、转换器模块和便携式设备等领域。

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