AM2323P-T1-PF-VB场效应管一款P沟道SOT23封装的晶体管

型号: AM2323P-T1-PF-VB
丝印: VB2290
品牌: VBsemi
参数: SOT23；P—Channel沟道, -20V；-4A；RDS(ON)=57mΩ@VGS=4.5V,VGS=12V；Vth=-0.81V；
封装: SOT23

**详细参数说明:**
- **型号**: AM2323P-T1-PF-VB
- **丝印**: VB2290
- **品牌**: VBsemi
- **参数**: 
  - 封装: SOT23
  - 沟道类型: P-Channel
  - 额定电压: -20V
  - 额定电流: -4A
  - 开态电阻 (RDS(ON)): 57mΩ @ VGS=4.5V, VGS=12V
  - 门源极阈值电压 (Vth): -0.81V

**应用简介:**
AM2323P-T1-PF-VB是一款性能卓越的P沟道MOSFET，适用于多种电子应用，特别在以下领域模块中具有优越性能：

1. **电源开关模块:**
   由于其P沟道特性，适用于电源开关模块，可实现可靠的电源开关控制。

2. **电池管理系统:**
   适用于电池管理系统，能够提供可靠的电池充放电控制，延长电池寿命。

3. **负载开关:**
   用于负载开关，提供高效的电流控制和电源管理。

4. **低功耗设备:**
   由于其低阈值电压和低功耗特性，适用于低功耗设备，如便携式电子产品。

请注意，上述应用建议仅为参考，具体应用需根据项目需求和设计要求进行调整。