VBsemi FU024N-VB:
FU024N-VB是一款TO251封装的N沟道MOS管,工作电压为60V,电流为25A。其特点包括低导通电阻(RDS(ON)):32mΩ@VGS=10V,20V时,阈值电压(Vth)为2.4V。
VBsemi IRFR320TRPBF-VB:
IRFR320TRPBF-VB是一款TO252封装的N沟道MOS管,工作电压为650V,电流为4A。具有较高的导通电阻:2200mΩ@VGS=10V,20V时,阈值电压(Vth)为3.5V。
产品比较:
1. 工作极性:FU024N-VB为N沟道,IRFR320TRPBF-VB为N沟道。
2. 电压等级:FU024N-VB的工作电压为60V,IRFR320TRPBF-VB为650V,适用于不同电压范围的应用场景。
3. 电流容量:FU024N-VB的电流为25A,IRFR320TRPBF-VB为4A,适用于不同电流要求的应用。
4. 导通电阻:FU024N-VB在低电压下性能较好,IRFR320TRPBF-VB在高电压下表现优越。
5. 封装类型:FU024N-VB为TO251,IRFR320TRPBF-VB为TO252。
根据应用需求选择:FU024N-VB适用于低电压、高电流的场景;IRFR320TRPBF-VB适用于高电压、低电流的场景。选择时需考虑具体应用环境和性能要求,权衡产品的优劣。