IRFR120NTRPBF-VB一款TO252封装 MOSFET参数应用解析

IRFR120NTRPBF （VBE1101M）
参数描述：
N沟道,100V,18A,RDS(ON),115mΩ@10V,121mΩ@4.5V,20Vgs(±V)；1.6Vth(V)；TO252

型号参数介绍：
IRFR120NTRPBF (VBE1101M)参数说明：N沟道，100V，18A，导通电阻115mΩ@10V，121mΩ@4.5V，门源电压范围20V(±V)，阈值电压1.6V，封装：TO252。

应用简介：IRFR120NTRPBF适用于高功率N沟道MOSFET，常见于电源开关、电机控制和逆变器等领域模块。
其中较大的电流承载能力使其在大电流需求场景中表现出色。
优势与适用领域：适用于高功率应用，如电源开关、电机控制和逆变器等模块。
较大的电流承载能力满足大电流需求。