【CEM4936-VB】&【IPD100N06S4-03-VB】MOSFET参数对比及应用领域解析

**IPD100N06S4-03-VB**
- 丝印：VBE1606
- 品牌：VBsemi
- 参数：
  - 沟道类型：N
  - 封装：TO252
  - 最大电压：60V
  - 最大电流：110A
  - RDS(ON)：4.5mΩ@VGS=10V, VGS=20V
  - 阈值电压：2.8V

**CEM4936-VB**
- 丝印：VBA3328
- 品牌：VBsemi
- 参数：
  - 沟道类型：2个N
  - 封装：SOP8
  - 最大电压：30V
  - 最大电流：6.8/6.0A
  - RDS(ON)：22mΩ@VGS=10V, VGS=20V
  - 阈值电压：1.73V

**产品比较：**
- **IPD100N06S4-03-VB**
  - N-Channel沟道，适用于电源开关、电机驱动等高电流场景。
  - 最大电流110A，RDS(ON)较低，适用于对电流要求极高的场景。

- **CEM4936-VB**
  - 2个N-Channel沟道，适用于双通道电源开关等应用。
  - 最大电流6.8/6.0A，RDS(ON)适中，适用于中等电流负载。

**差异性与优劣性：**
- **IPD100N06S4-03-VB**适用于高电流N沟道场景，性能较优。
- **CEM4936-VB**适用于双通道中等电流场景，适用性广泛。

**应用简介：**
- **IPD100N06S4-03-VB**可用于电源开关、电机驱动等高电流场景。
- **CEM4936-VB**适合电源开关、负载开关等中等电流场景。