2SK3386-Z-E1-AZ-VB一款N—Channel沟道TO252的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明

**产品简介：**
2SK3386-Z-E1-AZ-VB是VBsemi品牌的N-Channel沟道场效应晶体管，具有60V的漏极-源极电压，最大45A的漏极电流，以及在VGS=10V时的24mΩ的导通电阻（RDS(ON)）。其丝印为VBE1638，封装为TO252。

**详细参数说明：**
- 最大漏极-源极电压（VDS）：60V
- 最大漏极电流（ID）：45A
- 导通电阻（RDS(ON)）：24mΩ @ VGS=10V
- 阈值电压（Vth）：1.8V
- 封装类型：TO252

**适用领域和模块举例：**
1. **电源管理模块**：由于2SK3386-Z-E1-AZ-VB具有较高的漏极电压和电流能力，可用于设计高效的开关电源和线性稳压器，适用于服务器、工业设备等领域。
2. **汽车电子**：在汽车电子系统中，2SK3386-Z-E1-AZ-VB可用于驱动汽车的电动马达，例如电动车窗、电动座椅等，以及作为汽车的直流-直流变换器的开关器件。
3. **工业自动化**：2SK3386-Z-E1-AZ-VB可用于控制各种工业设备和机器人的电机，以实现精确的运动控制和自动化生产。
4. **LED照明**：在LED照明系统中，2SK3386-Z-E1-AZ-VB可用作LED驱动器的开关器件，实现LED灯的调光和调色功能，适用于室内照明、车灯等领域。

综上所述，2SK3386-Z-E1-AZ-VB是一款高性能的N-Channel沟道场效应晶体管，适用于多种领域的功率控制和开关应用，为设计者提供了稳定可靠的解决方案。