AO3423A-VB一款SOT23封装P—Channel场效应MOS管

**VBsemi AO3423A-VB 产品说明：**

- **丝印：** VB2290
- **品牌：** VBsemi
- **参数：**
  - 封装：SOT23
  - 沟道类型：P—Channel
  - 最大漏电流：-20V
  - 最大漏极电流：-4A
  - 开启电阻（RDS(ON)）：57mΩ @ VGS=4.5V, VGS=12V
  - 阈值电压（Vth）：-0.81V

- **封装：** SOT23

**详细参数说明：**

- **沟道类型：** P—Channel 指示这是一种P沟道场效应晶体管，适用于负载电流较小的应用。

- **最大漏电流：** -20V 的最大漏电流表明该晶体管在反向电压为20V时仍能保持正常工作。

- **最大漏极电流：** -4A 的最大漏极电流说明这款晶体管可以处理较大的电流负载。

- **开启电阻（RDS(ON)）：** RDS(ON) 为 57mΩ 表示在给定的门源电压条件下，漏极和源极之间的导通电阻。

- **阈值电压（Vth）：** -0.81V 的阈值电压表示在此电压以下，晶体管将开始导通。

**应用简介：**

AO3423A-VB 这款 P-Channel 沟道 MOSFET 适用于各种电源管理和开关应用，其中包括但不限于：

1. **电源开关：** 由于其 P-Channel 沟道特性，适用于电源开关电路，可实现高效的功率管理。

2. **电流限制和保护：** 可用于电流限制和保护电路，确保电流在安全范围内。

3. **低电压系统：** 适用于低电压系统，提供高效的功率控制。

**举例说明：**

AO3423A-VB 可以被应用在便携式电子设备的电源管理模块，例如智能手机、平板电脑等。由于其小巧的 SOT23 封装和良好的电性能，它在有限的空间内提供高效的电源开关和管理功能，有助于延长电池寿命，并提高设备的整体性能。