IRF7470TRPBF&10-VB一款N—Channel沟道SOP8的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明

型号: IRF7470TRPBF&10-VB
丝印: VBA1410
品牌: VBsemi
参数:
- N—Channel沟道
- 额定电压: 40V
- 额定电流: 10A
- RDS(ON): 14mΩ @ VGS=10V, VGS=20V
- 阈值电压 (Vth): 1.6V
封装: SOP8】

详细参数说明：
IRF7470TRPBF&10-VB是一款N—Channel沟道功率MOSFET，适用于最大40V的工作电压。具有10A的额定电流和低导通电阻(RDS(ON))，在VGS=10V和VGS=20V时分别为14mΩ。阈值电压(Vth)为1.6V，采用SOP8封装。

应用简介：
该产品广泛应用于各种电源和功率控制领域，以满足高效能和低导通电阻的要求。以下是该MOSFET的一些典型应用领域：

- 电源模块: 在电源模块中，IRF7470TRPBF&10-VB可用于实现高效的电源转换和调节，确保系统的稳定性和可靠性。

- 电机驱动器: 由于其高额定电流和低导通电阻，适用于电机驱动器，实现对电机的精确控制和高效驱动。

- 电池管理系统: 在电池管理系统中，可用于实现对电池充放电的精确控制，提高电池系统的性能。

举例说明：
IRF7470TRPBF&10-VB可应用于工业自动化、汽车电子、以及通信设备等领域的电源模块和功率控制模块，为这些系统提供高效能和可靠性的解决方案。