2SJ166-VB一款P—Channel沟道SOT23的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明

**产品型号：** 2SJ166-VB

**丝印：** VB264K

**品牌：** VBsemi

**参数：**
- 封装类型：SOT23
- 沟道类型：P—Channel
- 最大承受电压：-60V
- 最大电流：-0.5A
- 开态电阻（RDS(ON)）：3000mΩ @ VGS=10V, VGS=20V
- 阈值电压（Vth）：-1.87V

**封装：**
- 封装类型：SOT23

**应用简介：**
2SJ166-VB是一款P—Channel沟道的场效应晶体管，适用于SOT23封装。具有最大承受电压为-60V，最大电流为-0.5A，适用于各种电子应用。

**适用领域和模块示例：**
1. **电源管理模块：** 由于其负载能力和低开态电阻，2SJ166-VB可用于电源管理模块，特别是需要负载P—Channel沟道器件的应用。

2. **放大器电路：** 在放大器电路中，特别是在需要P—Channel场效应晶体管的设计中，该器件可以用于实现信号放大。

3. **电源逆变器：** 由于其负载能力和电压特性，2SJ166-VB适用于一些电源逆变器电路，用于转换电源信号。

4. **电源开关模块：** 作为P—Channel沟道器件，它可以在电源开关模块中发挥作用，实现开关功能。

总体而言，2SJ166-VB可广泛应用于电源管理、放大器、电源逆变器和电源开关等领域的电子模块设计。