F7343-VB一款SOP8封装N+P—Channel场效应MOS管

产品型号: F7343-VB
丝印: VBA5638
品牌: VBsemi
参数:
- N+P—Channel沟道
- 工作电压：±60V
- 最大电流：6.5A (正极性), -5A (负极性)
- 开启电阻：RDS(ON)=28mΩ@VGS=10V, 51mΩ@VGS=20V
- 阈值电压：Vth=±1.9V
封装: SOP8

详细参数说明:
F7343-VB是一款N+P—Channel沟道MOSFET，适用于工作电压为±60V的场合。其最大正极性电流为6.5A，最大负极性电流为-5A，具有良好的电流承载能力。开启电阻在不同门极电压下变化较小，保证了稳定的性能表现。阈值电压为±1.9V，使得开启和关闭操作更加可靠。封装为SOP8，适合于各种电路布局。

应用简介:
F7343-VB适用于多种领域的电路设计，包括但不限于：
1. 电源管理模块：可用于设计高压、大电流的电源管理电路，如DC-DC转换器和功率放大器。
2. 电机驱动器：适用于电机控制电路，如步进电机和直流电机的驱动器，提供可靠的电流输出。
3. 逆变器：可用于设计逆变器电路，将直流电转换为交流电，用于太阳能发电系统、变频空调等应用。
4. 电动车充电器：在电动车充电器中，可用于电池管理和电压调节电路，提供安全、高效的充电功能。

举例说明:
F7343-VB可用于设计电动车充电器，确保充电过程中电池安全并提供稳定的充电电压；也可用于逆变器电路，将直流电转换为交流电，应用于太阳能发电系统。