RAQ045P01TCR-VB一款SOT23封装P—Channel场效应MOS管

**RAQ045P01TCR-VB**

- **丝印：** VB2355
- **品牌：** VBsemi
- **参数：**
  - 封装：SOT23
  - 沟道类型：P—Channel
  - 额定电压：-30V
  - 最大电流：-5.6A
  - 导通电阻（RDS(ON)）：47mΩ @ VGS=10V, VGS=20V
  - 阈值电压（Vth）：-1V

- **封装：** SOT23

**详细参数说明:**
RAQ045P01TCR-VB是VBsemi品牌的P—Channel沟道场效应晶体管，采用SOT23封装。其主要电气特性包括额定电压为-30V，最大电流为-5.6A，导通电阻为47mΩ @ VGS=10V, VGS=20V，阈值电压为-1V。

**应用简介:**
RAQ045P01TCR-VB适用于多种电源管理和开关电路应用。其P—Channel设计使其在特定场合下能够提供高效的电源控制。由于其性能特点，该器件常见于以下领域和模块：

1. **电源开关模块：** RAQ045P01TCR-VB可用于设计高效的电源开关模块，如稳压器和开关电源。

2. **电池管理系统：** 由于低阈值电压和低导通电阻，该器件适用于电池管理系统，提供有效的电源开关控制。

3. **电流控制模块：** 在需要P—Channel MOSFET进行电流控制的电路中，RAQ045P01TCR-VB可以发挥作用。

4. **LED驱动器：** 适用于LED照明应用，提供高效的电流调节和开关控制。

请在具体应用中，根据RAQ045P01TCR-VB的规格书和设计手册进行正确的设计和使用。