13N03LA-VB TO252一种N-Channel沟道TO252封装MOS管

### 13N03LA-VB MOSFET 产品简介

VBsemi的13N03LA-VB是一款单N沟道功率MOSFET，采用TO252封装技术。这种MOSFET在30V的漏源电压（VDS）和20V（±V）的栅源电压（VGS）下工作。其开态电阻（RDS(ON)）在栅源电压为4.5V时为9mΩ，在10V时为7mΩ。该器件的额定电流（ID）为70A，采用了Trench技术，适用于高功率应用场景。

### 13N03LA-VB MOSFET 参数说明

- **型号：** 13N03LA-VB
- **封装：** TO252
- **配置：** 单N沟道
- **漏源电压（VDS）：** 30V
- **栅源电压（VGS）：** 20（±V）
- **阈值电压（Vth）：** 1.7V
- **开态电阻（RDS(ON)）@VGS=4.5V：** 9mΩ
- **开态电阻（RDS(ON)）@VGS=10V：** 7mΩ
- **额定电流（ID）：** 70A
- **技术：** Trench

### 13N03LA-VB MOSFET 应用领域及模块示例

1. **电源供应模块：**
   13N03LA-VB MOSFET适用于各种高功率的电源供应模块，如服务器电源、工业电源等。其高额定电流和低导通电阻确保了电源模块的高效率和可靠性。

2. **电动工具：**
   在电动工具中，13N03LA-VB MOSFET可用于控制电动工具的电源和驱动系统。其高额定电流和低导通电阻使其能够满足电动工具的功率需求，提高了工具的效率和可靠性。

3. **电动汽车充电桩：**
   在电动汽车充电桩中，13N03LA-VB MOSFET可用于控制充电桩的电源转换和开关。其高额定电流和低导通电阻确保了充电桩的高效率和可靠性。

4. **电机驱动：**
   在各种电机驱动应用中，13N03LA-VB MOSFET可用于控制电机的电源和速度调节。其高额定电流和低导通电阻确保了电机的稳定运行。

通过这些应用领域和模块的实例，13N03LA-VB MOSFET展示了其在高功率需求场景中的适用性，成为各类电子系统中不可或缺的核心组件。