VBsemi SI2314EDS-T1-GE3-VB 晶体管:
- 类型:N-Channel 沟道
- 额定电压:20V
- 额定电流:6A
- RDS(ON):24mΩ @ VGS=4.5V, VGS=8V
- 阈值电压:0.45~1V
- 封装:SOT23
应用简介:
该晶体管适用于各种电子模块,特别是需要 N-Channel 沟道的应用。由于其低阻态时的 RDS(ON) 和适中的电压/电流额定值,可用于功率开关和放大电路。
领域和模块应用:
1. 电源模块:适用于电源开关和调节器。
2. 驱动器模块:可用于电机驱动和其他电子设备的驱动电路。
3. LED 照明模块:用于 LED 驱动电路。
4. 通信模块:在通信设备中作为功率放大器或开关元件。
5. 汽车电子模块:适用于汽车电子系统的电路设计。
这些晶体管广泛应用于需要 N-Channel 沟道 MOSFET 的各种领域和电子模块中。